第03章存储器和其与系统的连接.pptVIP

第3章存储器及其与系统的连接;第一节 存储器概述;RAM从结构上可以分为两种： (1)静态RAM（Static RAM） 每个存储器电路由MOS晶体管构成，其基本结构为一个双稳态触发器。特点：工作稳定，不需要进行刷新；成本高，功耗大 (2)动态RAM（Dynamic RAM） 利用MOS管栅源间的极间电荷存储信息。特点：制造容易，功耗小，成本低，集成度高；但电容上存储的电荷易泄露，需要不断刷新;ROM有三种类型： (1)掩模ROM 由生产厂家利用光刻掩模技术将程序写入，写入后内容永久固定，用户不可更改，可靠性高 (2)可编程ROM（PROM） 常用的有熔断丝PROM，该熔断丝串联在晶体管的某个电极中，用户编程时利用专门的编程器，用大电流将熔丝烧断，从而将信息永久保存下来。一次写入机会 (3)可擦写的可编程ROM（EPROM） 特点：可以反复的写入程序。EPROM有两类：用紫外线擦写的EPROM和用电擦写的E2PROM;存储器芯片的选择 应从几个方面考虑：存储器类型、容量、速度，还有价格、功耗以及对电路的要求 根据应用要求选择存储器类型和容量 如RAM6116容量：4K×4 EPROM2732容量：4K×8 存储器速度的选择 存储器的速度应该与CPU的工作速度相匹配。对于速度慢的芯片，需要插入等待时间Tw，这样就浪费了大量的主机时间;第二节 常用存储器芯片;;A12～A0：地址线，输入，寻址范围为8K。 D7～D0：数据线，8位，双向传送数据。 ：片选信号，输入，低电平有效，与 控制线相连 　 　：写允许信号，输入，低电平有效。 　　 ：数据输出允许信号；输入，与 控制线相连 VCC ：十5V电源。 GND：地 NC ： 表示引脚未用。 ;2、62256RAM芯片 容量为32K×8 28只引脚 地址线A0~A14 +5V电源;一、EPROM芯片 分为三类：掩模ROM 、可编程ROM（PROM） 、可擦写的可编程ROM（EPROM、E2PROM）;2、27128EPROM芯片：容量为16K×8，地址线A0~A13 3、27256EPROM芯片：容量为32K×8，地址线A0~A14 ;三、E2PROM芯片 E2PROM的特点是能在不脱离系统的情况下修改其存储单元中的内容。在断电的情况下仍能保持存储单元的内容不变。应用十分广泛。;2816有3种工作方式： （1）读模式： （2）单字节写模式： 先擦后写，擦除时所有数据线必须全为TTL高电压，写入时在数据线上输入所需写的字节 （3）芯片擦除模式： 擦除时所有数据线必须全为TTL高电压，擦出后，所有2K的单元内容均为FFH;2、2817AE2PROM芯片 容量为2K×8 ，电擦除，电编程，在擦写操作时无需外加编程电源，使用单一的+5V电源，在执行写操作之前，会自动对写入的单元进行擦除。;第三节 存储器的寻址方法;一、线选法 字选：将存储器芯片的全部地址线与系统地址总线的低位线一一对应相连 片选：将字选后剩余的系统地址线高位中的某一根直接用作某一存储器芯片的片选信号;例1、某存储器由两个存储器芯片组成，其中一片为RAM容量1K×8，另一片为EPROM容量为4K×8，请编址。 分析： 一般的单片机系统，地址总线为16根，其编号为A0~A15 容量为1K×8芯片地址线为10根，与系统总线的A0~A9相连 容量为4K×8芯片地址线为12根，与系统总线的A0~A11相连 片选信号由剩余的地址总线的A12~A15给出 只有两个芯片，可用A12=1时选RAM，A13=1时选EPROM （芯片的片选信号CE是低电平有效，故每一片选线上均价一非门）; ;例2、某存储器由两个2K×8的RAM，还有两个外设（I/O）端口，请编址。 分析： 单片机系统的地址总线为16根，其编号为A0~A15 可以把每一个外设端口视为一个存储器单元 RAM容量为2K×8芯片地址线为11根，与系统总线的A0~A10相连，将A11=1和A12=1分别用作两个RAM的片选信号线 两个外设端口用A13=1和A14=1选择;地址范围为 RAM1：0800H~0FFFH， RAM2：1000H~17FFH 外设1：2000H 外设2：4000H;二、全译码法 字选：将存储器芯片的全部地址线与系统地址总线的低位线一一对应相连，（同前） 片选：每个芯片的片选信号均由该芯片字选后剩下的全部系统地址总线经地址译码电路译码而产生;例3、某存储器由两个存储器芯片组成，其中一片为RAM容量2K×8，另一片为EPROM容量为