数学电子技术第八章存储器与可编程逻辑器件.pptVIP

第8章 存储器与可编程逻辑器件;　8.1　存储器概述 ;8.1.1 　存储器分类 ;　２．根据存储器制造工艺的不同分类 　存储器可分为双极型存储器和MOS型存储器。 双极型存储器以TTL触发器作为基本存储单元，具有速度快、价格高和功耗大等特点，主要用于高速应用场合，如计算机的高速缓存。 MOS型存储器是以MOS触发器或MOS电路为存储单元，具有工艺简单、集成度高、功耗小、价格低等特点，主要用于计算机的大容量内存储器。;;8.1.2 存储器的相关概念;地址;8.1.3 存储器的性能指标;2．存取速度 　　　存储器的存取速度可用“存取时间”和“存储周期”这两个时间参数来衡量。 “存取时间”（Access Time）是指从微处理器发出有效存储器地址从而启动一次存储器读/写操作，到该操作完成所经历的时间。;;8.2　随机存取存储器（RAM）;　1．RAM分类 　　　　按工作方式不同可分为静态RAM（Static RAM）和动态RAM（Dynamic RAM）。 　　　静态RAM使用触发器作为存储元件，因而只要使用直流电源，就可存储数据。 动态RAM使用电容作为存储单元，如果没有称为刷新的过程对电容再充电的话，就不能长期保存数据。 当电源被移走后，SRAM和DRAM都会丢失存储的数据，因此被归类为易失性内存。 　　　;;;　8.2.2 　 静态RAM（SRAM） ;若T1导通，则A点为低电平，这样T2截止，B点为高电平，为一种稳定状态“0”； 与此相反，T1截止而T2导通时， A点为高电平B点为低电平，又是另一种稳定状态 “1”，;;;表8-1 6116芯片的工作方式 ;8.2.3 动态RAM（DRAM） ; 它存储数据的原理是电容的电荷存储效应。 当电容C充有电荷、呈现高电压时，相当于存储1值，反之为0值。 MOS管T相当于一个开关，当行线为高电平时，T导通，C与位线相通，反之则断开。 ;基本存储单元与读写控制电路的连接示意图 ; 8.3 只读存储器（ROM）;8.3.1 ROM分类与结构 ;;8.3.2 掩膜 ROM;;;;二进制数到格雷码变换的ROM矩阵; 8.3.3 可编程 ROM ;; EPROM芯片上方有一个石英玻璃窗口，当用一定波长(如2537A)一定光强的紫外线透过窗口照射时，所有存储电路中浮栅上的电荷会形成光电流泄放掉，使浮??恢复初态。一般照射20～30分钟后，读出各单元的内容均为FFH，说明EPROM中内容已被擦除;; ;;; 8.3.4 可编程 ROM的应用 ;PROM的点阵表示图;;;8.4 快闪存储器（Flash Memory）;8.4.1 快闪存储器的电路结构;;;;8.4.2 闪存与其它存储器的比较;;; 8.5 存储器的扩展;;存储器的容量=字数（m）× 字长（n） ; 8.5.1 存储器的位扩展法; 8.5.2 存储器的字扩展法;; 8.6 可编程阵列逻辑PAL;;;;; 8.6.1 PAL的电路结构;;; 为了扩展电路的功能并增加使用的灵活性，PAL在与或阵列的基础上，增加了多种输出及反馈电路，构成了各种型号的PAL器件。 根据PAL器件的输出结构和反馈电路的不同，可将它们大致分成专用输出结构、可编程输入/输出结构、寄存器输出结构、异或输出结构等几种类型。 ;;; 2. 可编程输入/输出结构 由图可看出：输出三态缓冲器的使能控制端由与或阵列的一个与项给出。编程时，当三态缓冲器的控制端为0时，三态缓冲器处于高阻态（EN=0），此时，I/O端可作为输入端使用，通过另一个缓冲器送到与阵列中；;当三态缓冲器的控制端为1时，三态缓冲器被选通，I/O端只能作输出端使用。此时，与I/O端连接的缓冲器作反馈缓冲器使用，将输出反馈至与门。 ; 可编程输入/输出结构的器件有PAL16L8（10个输入，2个输出，6个可编程I/O）、PAL20L10（12个输入，2个输出，8个可编程I/O）等。;;;;;; 8.6.2 PAL器件举例; 8.6.2 PAL器件举例（续）; PAL16L8器件的型号定义如下： 字母PAL代表该器件所属类型； 数字（16）代表与门阵列的输入端个数（其中包括可编程为输入的I/O端）； 输入端个数后面的字母代表输出的类型：H指输出为高电平有效，L指输出为低电平有效，P指可编程极性； 输出类型后面的数字（8）代表输出端个数。;8.6.3 PAL器件的应用;由真值表可写出