模拟电子技术基础课件 第3章 场效应管及其放大电路.ppt

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模拟电子技术基础课件 第3章 场效应管及其放大电路

第3章 场效应管及其放大电路 ;  只有一种载流子(多子)参与导电,且利用电场效应来控制电流的三极管,称为场效应管,也称单极型三极管。;3.1.1 结型场效应管的结构 ;D;P 沟道场效应管;N 沟道结型场效应管用改变 uGS 大小来控制漏极电流 iD 。;  设uDS = 0 ,在栅源之间加负电源 VGG,改变 VGG 大小。观察耗尽层的变化。;  在漏源极间加正向 VDD,使 uDS 0,在栅源间加负 VGG,观察 uDS 变化时耗尽层和漏极 ID 。;G;;(N 沟道结型场效应管为例);  场效应管的两组特性曲线之间互相联系,可根据漏极特性用作图的方法得到相应的转移特性。;3.2.1 N沟道增强型场效应管; 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管,或简称 MOS 场效应管。;1. 结构; 绝缘栅场效应管利用 UGS 来控制“感应电荷”的多少,改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,以???制漏极电流 ID。;(2) UDS = 0,0 UGS UT;(4) UDS 对导电沟道的影响 (UGS UT);d;(a)转移特性;P型衬底;N 沟道耗尽型 MOS 管特性;电气与电子工程学院;1. 直流参数;⑶ 开启电压 UGS(th) UGS(th)是增强型场效应管的一个重要参数。 其定义是当uDS一定时,使漏极电流达到某一数值时所需加的uGS值。;2. 交流参数 ⑴ 低频跨导gm 用以描述栅源之间的电压uGS对漏极电流iD的控制作用。;3. 极限参数 ⑴ 漏极最大允许耗散功率PDM 漏极耗散功率等于漏极电流与漏源之间电压的乘积,即 pD= iD uDS。 ⑵ 漏源击穿电压U(BR)DS 在场效应管的漏极特性曲线上,当漏极电流iD急剧上升产生雪崩击穿时的uDS 。 ⑶ 栅源击穿电压U(BR)GS;种 类;种 类;1. 场效应管是电压控制元件;;3.4.1 共源极放大电路 ; 共源极放大电路原理电路;VDD; (2) 图解法;iD 的全微分为;如果输入正弦信号,则可用相量代替上式中的变量。;微变参数 gm 和 rds;;Uo = - gmUgs Rd;电路组成;1. 静态分析;uDS;2. 动态分析;又称源极输出器或源极跟随器;2. 动态分析;下页;上页;电气与电子工程学院;电气与电子工程学院

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