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“模拟电路基捶20091022第14次课
Chap4 MOSFET及其放大电路;E-NMOSFET工作原理之有关名词;FET放大电路组成原则及分析方法;几种常用的偏置技术;集成电路中的偏置技术;4.2 MOSFET的偏置电路;2．分压式偏置;3. 信号的输入和输出;4.2.1 分立MOSFET电路的直流偏置;放大区：;求VGS，VGSVTN?;题型：计算N沟道增强型MOSFET共源极电路的 漏极电流和漏源电压。;例4.3 如图所示电路中，已知场效应管的参数为VTN=1V，
Kn=0.5mA/V2。 求VGS、ID和VDS。;例4.4 直流电路如图所示。已知 VTN=2V，Kn=0.16mA/V2。
试确定R1和R2，使流过它们的电流为0.1ID，要求ID=0.5mA。;∴场效应管处于放大状态，
与假设一致。;4.2.2 集成MOSFET电路的直流偏置;(1)电流源电路是指电流不随电压变化的电路。;题型：设计由恒流源提供偏置的MOSFET电路;永远成立，因此只要保证VGSVTN， ;题型：计算含增强型负载电路的静态工作点;MOSFET放大电路???态分析 解题技巧;例4.7 电路如图所示。已知 VTN=1V，
KnD=50?A/V2 ，KnL=10?A/V2。
求VI=5V和VI=1.5V时的Vo。;4.3 MOSFET的交流小信号模型;1．跨导gm;gm就称为场效应管的跨导，单位是S(西门子)。;2. 交流输出电阻rds ;所有曲线的反向延长线都与电压轴相交于vDS=-VA处，电压VA为正，它与双极型晶体管的Early电压相似。;4.3.3 MOSFET的交流小信号线性模型;② 夹断电压VP ：;② 最大漏极功耗PDM;;
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