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模拟电子技术基础;导 言;电信号;电子信息系统——电子系统;模拟电子技术学习方法;第1章 半导体器件基础;1.1 半导体基础知识; 载流子：运载电荷的粒子; 复合: 自由电子与空穴相消的现象; 杂质半导体; P 型半导体 ( Positive ) ：掺入3价元素; PN结; PN结的单向导电性; 反向偏置：N 区加正、P 区加负电压; PN结的电流方程 — 伏安特性方程;4. PN结的电容效应;第1章 半导体器件基础;1.2 半导体二极管 (semiconductor diode);1.2.1 常见结构;二极管实物照片;1.2.2 伏安特性( volt ampere characteristic);1.2.3 主要参数;1.2.4 等效电路(非线性伏安特性线性化);写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。（P68) ; 二极管工作在静态工作点Q; 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻(动态电阻). rd = ?uD/ ?iD;例 电路如图所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。 试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？; 二极管等效电路 判断二极管的导通或截止; 二极管上限幅电路及波形; 二极管双限幅电路; 与门电路;给出下图中输出uo和输入ui的关系;1.2.5 稳压二极管 — 工作在反向击穿区; 稳定电压UZ：规定电流下稳压管的反向击穿电压. 稳定电流IZ (IZmin)：稳压管工作于击穿区的最小工作电流实际的工作电流应大于此值 额定功耗PZM 最大稳定电流IZmax： IZmax = PZM / UZ 动态电阻rZ 温度系数?;例：已知UZ、 [IZmin , IZmax]、RL ，求限流电阻R的取值范围;例 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问： （1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？;一、半导体器件基础;1.3 双极型晶体管 (BJT);1.3.1 结构与类型;NPN型管的结构示意图;1.3.2 BJT的放大作用; 晶体管内部载流子的运动 ( ?uI =0 ); 三个电极上的电流分配关系 ( ?uI =0 );其值一般为0.98～0.99;?uI ?0 时;1.3.3 晶体管的共射特性曲线; 输入特性曲线; 截止区: IB=０, uBE ≤ Uon , uCE uBE ，iC ? 0 ; 截止区: uEB ≤| Uon |, uB uC ，iC ? 0 ; 是否截止？: uEB 与| Uon |; 讨论三：根据实测的放大电路中晶体管的直流电位，如何判断是硅管还是锗管？是 NPN还是PNP？;1.3.4 晶体管的主要参数; 交流参数; 极限参数;1.3.5 温度对晶体管的影响; 输出特性： ? 随温度升高增大; 例：电路如图所示，已知晶体管的特性曲线，当UI由0V变到3V时，求输出UO的对应变化。;A;A;一、半导体器件基础;1.4 场效应管 (Field Effect Transistor);1.4 场效应管 (Field Effect Transistor);1.4.1 结型场效应管 Junction FET;1. 工作原理; 栅-源电压 uGS 对导电沟道的影响， uDS＝0 ; uGS ?(uGS(off), 0)， uDS 对漏极电流iD的影响;2 结型场效应管的特性曲线;IDSS ：饱和漏极电流; 工作原理相同：P沟道的多子是空穴 与N沟道相比，P沟道对应的电压、电流极性正好相反;1.4.2 绝缘栅型场效应管 Insulated Gate FET ;1. N沟道增强型MOS场效应管; 工作原理;1. N沟道增强型MOS管;N沟道增强型开启电压UGS(th) 0;2 N沟道耗尽型MOS场效应管; 特性曲线;讨论二: 场效应管特性曲线的判别方法 (P49);例1.4.1 根据输出特性曲线分析管子的类型; 1.4.3 场效应管的主要参数;例 电路如图，当输入 uI 分别为0、8V 、10时， 输出uO = ?; uGS = 8V UGS(th);验证uGD UGS(th) 是否成立;例 已知夹断电压 UGS(off) ＝-4V；漏极饱和电流IDSS＝4mA， 为保证负载电阻RL上的电流为恒流, RL 取值范围？;+12V;例 电路如图，当0