太阳电池阶段工艺小结PECVD.pptVIP

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2017-04-20 发布于四川
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太阳电池阶段工艺小结PECVD.ppt

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太阳电池阶段工艺小结PECVD

PECVD阶段工艺调试总结;;;;2.1 实验设计; ;2.2 试验结果与分析;;;;;;;3.3 实验二;; 要获得良好的钝化效果，SiNx膜必须足够的致密且含有大量的N-H键。从引用的数据中发现，当折射率为2.17（板式法流量比为1450/550）时，SiNx膜中的N-H键含量最高，且薄膜比较致密，钝化效果最好。当折射率为2.05左右时，SiNx膜的透光率良好，但钝化效果差。当折射率为2.3左右时，SiNx膜的透光率变差，但是表面的钝化增强。;3.4.1 实验三方案;3.4.2实验三测试结果;实验三钝化效果对比 ;3.4.3 实验三结论;;再轰击硅烷气，产生SiNx分子沉积在样品表面。使用频率为2.45GHz。使用不同频率的PECVD系统，也各有一定的优缺点：　　 ◆频率越低对硅片表面的损伤越严重。　　 ◆频率越低离子进入硅片越深，越有利于多晶硅晶界的钝化。各种方法都有其有缺点：从大的方面讲，直接PECVD法对样品表面有损伤，会增加表面少子的复合，但是也正是由于其对表面的轰击作用，可以去除表面的一些自然氧化层，使得表面的杂质原子得到抑制，另外直接法可以使得氢原子或氢离子更深入地进入到多晶硅晶界中，使得晶界钝化更充分。 ;4.2 两种设备的镀膜效果对比;;Thank You !