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内绝缘新型MOSFET介绍

*;传统TO-220 MOSFET遇到的挑战;解决方案–TO-220S;TO-220S优势;TO-220S与半包封TO-220对比;从上面的装配工艺看,内绝缘新型TO-220S MOSFET相当于把传统型TO-220 MOSFET安装在Heat Sink上时的绝缘片做到了MOS管内部,因此导致结温到Case的热阻变大,但却因安装在Heat Sink时不再需要绝缘片而降低了Case到Heat Sink的热阻 ,只要我们能在以下几个条件下测试Heat Sink上的温度就能说明那种封装的总热阻小: 使用同一芯片而采用不同的封装形式; 在同一时间内消耗同样的功率; 使同一个Heat Sink; 一个密闭的环境内; 最终Heat Sink温度越高的说明热量越容易传递到Heat Sink, 证明总热阻越小 ;为了对比半包封,全包封和绝缘版MOSFET的散热性能(热阻),我们请研发工程师做如下实验 条件1:使用同一芯片而采用不同的封装形式,我们使用同一芯片封成以下三种形式:;条件2:在同一时间内消耗同样的功率,为了能使MOSFET消耗同样的功率,我们需要设计一个恒功率的电路,如下电路图: 此电路中我们设置: 电源Vcc=18.11V 电流Id=0.5A, 因此,MOSFET消耗的功率为: P=(18.11-0.11)*Id=9W ;条件4:一个密闭的环境内 我们采用的是一个小纸盒,尺寸如下: 长*宽*高=130mm*100mm*55mm;首先,我们按照条件2调试好电源电压和流过MOSFET的电流,如下图: 电源电压设置为18.11V 调整电路参数使得流过MOS管的电流Id=0.5A, 因此,此时MOSFET共消耗的功率为: P=(18.11-0.11)*Id=9W;其次,分别换装不同的MOSFET并按照相同的方式粘贴温度检测线,其中 传统的TO-220我们采用了两种不同的绝缘片,分别为: 第一种:市面上最常见的蓝色绝缘片,厚度0.3mm; 温度线粘贴如下图:;第二种:目前电动自行车控制器常用的黄色绝缘片,厚度0.08mm。 温度线粘贴如下图:;换装全包封TO-220F时的温度线粘贴图片 注意:为了以后能和其他MOSFET有效对比漏极HS的温度CH2测试点的 环氧树脂需要被处理掉!;换装绝缘版TO-220S时的温度线粘贴图片;最后均按照下面的方式放入条件4中的小纸盒内,测试前折叠好纸盒并通过 温度测试仪保存每种状态的温度数据。;考虑实验误差的情况下,4种情况下管脚2的温度几乎差不多(几种封装的管脚2与晶圆的热阻几乎相同)。;实验结果可以看出:半包封MOSFET+黄色绝缘片的散热效果最好,其次是内绝缘MOSFET,然后是半包封MOSFET+蓝色绝缘片,最差的是全包封MOSFET。 所以内绝缘MOSFET的散热性能比全包封好,介于半包封+黄色绝缘片和蓝色绝缘片之间。该结果符合理论上的热阻计算。;TO-220S可靠性;TO-220S产品列表;感谢您! 有您的支持与陪伴, 我们将更加专注于产品的创新, 尽我所能,为您做到最好, 我们将以此回报您!

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