2003第0章节半导体器件2.pptVIP

1.3.1 晶体管的结构及类型 1.3.2 晶体管的电流放大作用 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 1.3.4 晶体管的主要参数 1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 1.3.6 光电三极管;1.3.1 晶体管的结构及类型;P;1.3.2 晶体管的电流放大作用;基本共射放大电路;一、晶体管内部载流子的运动（△uI=0）;二、晶体管的电流分配关系;三、晶体管的共射电流放大系数;三、晶体管的共射电流放大系数;设输入△uI，则产生△iB 和△iC;共基电流放大系数：;基本共射放大电路的放大原理：;1.3.3 晶体管的共射特性曲线;二、输出特性曲线;从输出特性曲线看，晶体管有三个工作区域;1.3.4 晶体管的主要参数;三、极限参数;1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响;温度增加，输出曲线上移。;例1.3.1 测得电路中各晶体管各极的电位，判断各管的工作状态;例：在一个单管放大电路中，电源电压为30V，已知三只管子的 数如表所示，请选用一只管子。;关于PNP型管子及其电路;例：测得放大电路中晶体管的直流电位如图所示，画出管子， 并说明它们是硅管还是锗管，是NPN型还是PNP型;例：判断图中晶体管是否有可能工作在放大状态;1.4 场效应管;1.4.1 结型场效应管;g;一、结型场效应管的工作原理;uDS0，沟道两端有电压差，产生iD；由于栅极与沟道中各点电压 不同，uGDuGS0，沟道呈楔形，漏极窄，源极宽。;uDS增加，iD随之线性增加，ds间呈现电阻性；电阻的大小，决定于沟道宽度，即决定于uGS。;预夹断之后，uDS增加，增加的电压几乎全部落在夹断区， 沟道两端的电压几乎不变，iD几乎不变，呈现出恒流特性；;3.uGDuGS(off)，uGS对iD的控制作用;定义：;二、结型场效应管的特性曲线;二、结型场效应管的特性曲线;二、结型场效应管的特性曲线;二、结型场效应管的特性曲线;由输出特性曲线，可得转移特性曲线。;电流方程：;1.4.2 绝缘栅场效应管(又称MOS管);1．工作原理;当uGS↑=UGS(th)时，衬底中的少子电子被吸引到耗尽层， 形成N型薄层，称为反型层。该反型层即导电沟道。 uGS再↑，则反型层加宽，沟道变宽。;uGS对iD的影响：uGS↑→沟道宽度↑→iD↑;2．特性曲线与电流方程;二、N沟道耗尽型绝缘栅场效应管;uDS;三、P沟道场效应管;例：P沟道结型场效应管的特性曲线;uDS;1.4.3 场效应管的主要参数;三、极限参数;例：已知某管子的输出特性曲线如图示，分析该管是什么类型的 管子（结型，绝缘栅型，增强型，耗尽型，N沟道，P沟道;解：;但实际上，uGS=10V时的预夹断电压为uDS= uGS - uGS(th)=10 - 4=6V 说明管子未产生预夹断，工作在可变电阻区。iD2.2mA;例：电路如图示，场效应管的夹断电压为UGS(off)= - 4V，饱和 漏极电流IDSS=4mA，试问：为保证负载电阻上的电流为恒流， RL的取值范围应为多少？;模拟第一章总结;6.掌握三极管的放大作用和开关作用 7.掌握三极管的特性曲线 8.会分析三极管的三种工作状态 9.掌握场效应管的放大作用、开关作用和变阻作用 10.掌握场效应管的恒流、夹断、变阻三种工作状态 11.会分析场效应管的三种工作状态; 1.V(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。 下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB 代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。 ; 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图02.12。 图02.12 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 ; 2.1.6 半导体三极管的型号; 表02.01 双极型三极管的参数