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IC datasheet pdf-BT137,pdf (双向晶闸管)

R 版本:200911G 1/7 双向晶闸管 TRIACS BT137 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IT(RMS) 8A VDRM 600V or 800V IGT 10mA 用途 APPLICATIONS 交流开关 AC switching 相位控制 Phase control 产品特性 FEATURES 平面钝化芯片高 可靠性、一致性 Planar chip for reliability and uniform 低通态电流和高 浪涌电流能力 Low on-state voltage and High ITSM 封装 Package 序号 Pin 引线名称 Description 1 主电极 1 MT1 2 主电极 2 MT2 3 门极 G 环保 RoHS产品 RoHS products 通过 UL认证: E258645 UL:E258645 订货信息 ORDER MESSAGES 订 货 型 号 Order code 印 记 Marking 封 装 Package 包 装 Packaging BT137-O-Z-N-C BT137 TO-220 袋装 Bag BT137-O-J-N-B BT137 TO-220S 条管 Tube BT137-O-HF-N-B BT137 TO-220HF 条管 Tube TO-220/TO-220S TO-220HF R BT137 版本:200911G 2/7 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (TC=25℃) 项 目 Parameter 符 号 Symbol 试 验 条 件 Condition 数 值 Value 单位 Unit 重复峰值断态电压 Repetitive peak off-state voltage VDRM ±600 ±800 V 通态方均根电流On-state RMS current IT(RMS) full sine wave 8 A full sine wave ,t=20ms 65 A 非重复浪涌峰值通态电流 Non- repetitive surge peak on-state current ITSM full sine wave ,t=16.7ms 71 A I2t t=10ms 21 A2s 通态电流临界上升率 Repetitive rate of rise of on-state current after triggering dI/dt ITM=12A, IG=0.2A, dIG/dt=0.2A/μs 50 A/μs 峰值门极电流 Peak gate current IGM 2 A 峰值门极电压 Peak gate voltage VGM 5 V 峰值门极功率 Peak gate power PGM 5 W 平均门极功率 Average gate power PG(AV) over any 20ms period 0.5 W 存储温度 Storage temperature Tstg -40~150 ℃ 操作结温Operation junction temperature TVJ 125 ℃ R BT137 版本:200911G 3/7 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25℃) 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测 试 条 件 Condition 最小 Min 典型

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