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2017-04-09 发布于江苏
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2SAR553PT100;中文规格书,Datasheet资料

1/4 ○c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2009.12 - Rev.A Midium Power Transistors (-50V / -2A) 2SAR553P ?Structure ?Dimensions (Unit : mm) PNP Silicon epitaxial planar transistor ?Features 1) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = -0.4V (Max.) (IC / IB= -700mA / -35mA) 2) High speed switching ?Applications Driver ? Inner circuit (Unit : mm) Package Taping Code T100 Basic ordering unit (pieces) 1000 2SAR553P ? ?Absolute maximum ratings (Ta = 25?C) Symbol Limits Unit Collector-base voltage VCBO -50 V Collector-emitter voltage VCEO -50 V Emitter-base voltage VEBO -6 V DC IC -2 A Pulsed ICP -4 A PD 0.5 W PD 2 W Junction temperature Tj 150 ?C Range of storage temperature Tstg -55 to 150 ?C *1 Pw=10ms, Single Pulse *2 Each terminal mounted on a recommended land. *3 Mounted on a ceramic board. (40x40x0.7mm3) ?Packaging specifications Type Parameter Collector current Power dissipation *1 *2 *3 Abbreviated symbol : MG (1) (2) (3) (1) Base (2) Collector (3) Emitter / 2/4 ○c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2009.12 - Rev.A Data Sheet 2SAR553P ?Electrical characteristic (Ta = 25?C)? Symbol Min. Typ. Max. Unit Collector-emitter breakdown voltage BVCEO -50 - - V IC= -1mA Collector-base breakdown voltage BVCBO -50 - - V IC= -100μA Emitter-base breakdown voltage BVEBO -6 - - V IE= -100μA Collector cut-off current ICBO - - -1 ?A VCB= -50V Emitter cut-off current IEBO - - -1 ?A VEB= -4V Collector-emitter staturation voltage VCE(sat) - -200 -400 mV IC= -700mA, IB= -35mA DC current gain hFE 180 - 450 - VCE= -2V, IC= -50mA Turn-on time ton - 45 - ns Storage time tstg - 220 - ns Fall time tf - 35 - ns *1 Pulsed *2 See switching time test circuit - 22Collector output capacitance Cob ConditionsParameter MHz320 - VCE= -10V IE=300mA, f=100MHz Transition frequency fT - pF VCB= -10V, IE=0A f=1MHz - IC= -1A,IB1= -100mA, IB2=100mA,VCC -10V *2 *2 *2 ~_ *1 *1 / 3/4 ○c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2009.12 - Rev.A Da