使用乙烯基刀具的切割机的微型结构的快速成型机自1131谢宇.docx

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使用乙烯基刀具的切割机的微型结构的快速成型机自1131谢宇

淮 阴 工 学 院毕业设计(论文)外文资料翻译学 院:机械与材料工程学院专 业:机自1131姓 名:谢宇学 号:1131101117外文出处: 微机电系统杂志  (用外文写)JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS附 件:使用乙烯基刀具的切割机的微型结构的快速成型 介绍:这篇介绍了“剃须刀写作”,创造一种新颖的可以在不同的薄层中的快速成型微观结构的技术。这种技术使用的在标牌行业传统上用于切割图形在胶乙烯基图片的刻字机。带有可寻址的使用10微米的刻字机被用来在从25到1000微米的不同的厚度微观结构薄膜。下至35微米的正特征和下至18微米的负特征运用于25微米厚的材料。高纵横比为5.2的正特征和8的负特征是可以在360微米厚的材料实现的。这里将介绍一个简单的模型关联材料属性最小特征尺寸。多层微观结构从压敏和热激活胶粘剂膜层压在不到30分钟没有照相平版印刷的流程或化学物质。潜在的应用研究这些微观结构包括:阴影屏蔽,电镀,微型模具工厂三维布置设计管理系统和多层三维通道。这个便宜的方法可以微流控设备或第三流体连接高分辨率的设备快速成型。制造业指数加工对象是分层式微通道,微机电设备,微流体结构,微加工,模具。关键字:快速成型技术 微观结构薄膜 应用研究 加工对象1.简介 当前在微流体和微机电系统的科学,工业和生物医学应用的前景致使二维和三维微制造的数目方法的发展。初始制造方法使用集成半导体材料中的电路制造技术。然而,复杂的制造工艺,粘接困难,半导体材料的脆性促进其替代了微结构制造技术与快速成型工艺。 微结构商用快速成型方法包括:在聚二甲基硅氧烷微成型,激光烧蚀,立体光刻,微粉爆破,热压花,和微细。由于其简单的制造和粘接技术、微成型在工厂三维布置设计管理系统已成为一个普遍的实验室环境下的微流体成型方法。其他优点包括材料成本低,高分辨率能力,透气性,光学透明性。微成形的工厂三维布置设计管理系统结构通常由浇铸工厂三维布置设计管理系统在光刻图案化光致抗蚀剂。光刻胶一般因为它是能够制造微型模具厚作为1毫微米的纵横比高达20 。然而,即使使用SU-8模式,工厂三维布置设计管理系统微模只能有纵横比范围从0.05到2 ,除非工厂三维布置设计管理系统支持。图案的SU-8胶的要求标准光刻掩模,化学品,和程序包括长前和后烘发展步骤。然而,一旦一个磨具制造完,工厂三维布置设计管理系统结构可以反复成型。不幸的是,任何设计更改需要重复漫长的光刻工艺。另类的功能下降到15微米的光掩模已被用来缩短原型时间少于24小时,但速率限制步骤仍然是光刻工艺。 其他成型方法如微粉爆破和激光烧蚀直接建立组织,不需要光刻。微粉体爆破具有在大于100微米的硬材料的特征,如玻璃,与纵横比上升1.5。激光烧蚀产生的特征关于亚微微米(N微米)的顺序,有一个方面比率高达10 。这些方法制成的渠道是密封的用胶膜,工厂三维布置设计管理系统层,或阳极结合。该公司(华盛顿州瓦城)甚至开发了对准激光切割三维通道的专有方法多层粘合的聚合物膜。立体光刻技术也直接建立微观结构特征尺寸微米和纵横比高达22 。这些技术需要昂贵的制造设备使得内部原型设计变得困难。 微流体应用的许多功能并不一定需要集成电路制造的高分辨率能力技术。微型泵的特性尺寸,阀门,传感器范围从100微米- 50毫微米。微过滤器和反应器的范围从10微米- 10毫微米和微观分析系统范围从1毫微米100毫微米。微针与微流体频道范围从1 - 100微米宽,但可以高达1000微米,仍然保持子微升卷根据信道深度。 我们称这种方法为xurography,希腊词根Xuron和图ˉE意思是分别剃刀和书写的意思。正面和负面的结构,主要的渠道,是xurographically在聚合物薄膜制造范围从25 - 1000微米厚的。可以制造的微结构,以创建单个微流体器件的层或三维分层通道、微模具,荫罩,传感器,和电镀结构。测试切削条件的方法报告是基于材料的最小特征尺寸预测模型性能。 用刻字机快速成型的微观结构图1。模式转换方法。切割后,多余的部分剥离的剥离衬里,或“淘汰”。应用胶带把结构的地方而转移。对于更精细的负结构(100微米),在步骤1中的整个模式被转移到应用程序磁带之前除草。该模式然后淘汰而从背面释放班轮前转移。这最大限度地减少负通道中的粘合剂。另一种方法为小结构(100微米)的正面和负面的功能(如蛇形通道图2)是轻轻转移到基板的切割模式,然后杂草的去除不必要的部分。在步骤6中,将应用胶带以锐角而压在剥离界面刮板防止娇嫩的基板,如玻璃盖片,防止打破。2 设备和材料图形艺术行业经常使用一种叫做切割的工具.在胶的字母和图案的轮廓仪支持薄片制作大型零售标志。这些粘合剂背面的薄膜,通常是乙烯基,在辊层

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