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用于移植传感器供电的射频电源设计和实现.pdf
第29卷第4期增刊 仪 器 仪 表 学 报 V01．29No．4 2008年4月 ChineseJournalofScientificInstrument Apr．2008 用于移植传感器供电的射频电源设计和实现 梁竹关 赵东风 任文平 胡问国 SyedK．Islam (1电子工程系通信工程系物理系云南大学云南650091； 2田纳西大学电子与计算机工程系TN37996USA) 0．Sum 摘要在本论文中，我们采用AMl CMOS工艺设计和仿真一个可为移植传感器系统非接触供电的射频电源电路。用 内置电池给移植传感器系统供电往往是不现实可行的。该射频电源电路可以取代内置电池为移植传感器供电，它的主要组成 部分有：射频匹配网络、PMOS门交叉联接桥式整流电路、滤波器、旁路式稳压电路、以及带隙参考电路。仿真结果表明， 达到稳态时，该射频电源电路能够输出比较稳定的直流电压I．OV：并且在一定的温度范围内(70C～570c)，该射频电源电 路输出电压几乎不随温度而变化，仿真结果说明该射频电源电路可应用于移植传感器系统，为移植传感器系统正常工作有效 地提供能量。 关键词移植传感器射频供电电源CMOS工艺 ofRFPower forthe Sensors implementationSupply Implantable Zhao Ren Hu K．Islam ZhuguanLiangDongfengHongweiDingWenpingWenguoSyed (IDepartmentEngineeringDepaetmentofCommunicationsEngineeringDepartmentofphyaes ofElectrical Yt胁nan Yunnan650091China UniversRyKunming RF has and AbstractA circuitforthe sensorsbeen simulatedintheAMI powersupply implantable designed RF can to the to O．5urnCMOS circuit the sensors power replacebattery implantable process．The supply supply RF RF circuit the mainly matchingnetwork，PMOSgate operatecontinually．Thepowersupply comprises AMl cross—connected referencecircuit．Withthe 0．5urn rectifier,shunt bridge
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