烧端工艺对片式ZnO压敏限制电压比的影响.pdf

中国电子学会敏感技术分会第十二届电压敏学术年会论文专刊 烧端工艺对片式ZnO压敏限制电压比的影响 唐斌，祝忠勇，赖扬，伍尚国 (广东风华高新科技集团有限公司，广东肇庆526020) 摘要：通过对烧端工艺中不同烧端温度以及保温时间的试验，研究了它们对片式ZnO压敏 电阻器限制电压比的影响。结果表明：对于主成份为A∥Pd／Pt的端电极浆料，随着烧端温度的升 品的限制电压比最小(1．92)；随着烧端温度的继续升高以及保温时间的再延长，产品的限制 电压比又升高。 关键词：片式ZnO压敏电阻器烧端温度及保温时间限制电压比接触电阻 中图分类号：TM546 文献标识码：A文章编弓 least firingtemperature timeprolonged，The clampingvoltageradoisincreasedagain． voltageratio；contactresistence． 片式ZnO压敏电阻器是一种近来发展起来的新型低电压领域瞬态过电压保护器件，尤其是 ESD保护首选元件，它具有限制电压比低，漏电流小，响应速度快，寿命长，体积小，可焊性 好等优点。 在片式ZnO压敏电阻器电性能参数中，限制电压比是一个非常重要的参数之一，该值的大 小直接反映出产品保护水平的高低，其值愈小，说明保护水平愈高，安全性愈好。限制电压比 的高低，不仅与瓷料的配方组成有关，而且还与其制造工艺有关。本文主要对制造工艺中的烧 端工艺对产品限制电压比的影响作初步的分析。通过大量试验发现，烧端工艺中烧端温度以及 38— 中国电子学会敏感技术分会第十二届电压敏学术年会论文专刊 保温时间确定，对限制电压比产生重要的影响。 1 实验过程 样品的制备 sio：)混合，球磨，流延，丝印，叠层，切割，排胶，烧结，封端，烧端工艺按如下几组工艺进行： 第l组：保温时间15min，烧端温度分别为7500C、8000C、8500C、9000C。 第2组：烧端温度8500C，保温时间分别为5rain、15min、25rain、35min。 然后分别对两组样品进行电参数测试，限制电压比采用8／20斗s脉冲电流波形进行测试，电 流值1A。 2 实验结果分析 实验结果列于表1，表2。 表1不同烧端温度下样品的限制电压比 Tabl．1 编号 烧端温E3joc 压敏电压v，。∥ 、限制电压VlA～ 限制电压比VlA，、rlmA 1 750 798 1716 215 2 800 802 16．12 201 3 850 8．10 15．55 1．92 d 900 8．12 18．19 2．24 注：样品的尺寸为0402型，烧端温度下保温时间15rain。 表2不同保温时间下样品的限制电压比 Tabl．2Clampvohageratioofspeciums 限制电压比 编号 保温时间／rain 压敏电砾vlm^Ⅳ 限制电压vlA，v VlAⅣ1mA l 5 796 17．03 214 2 15 8．10 15．55 1 92 3