温度和压强对制备微晶硅锗材料性能的影响.pdfVIP

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2017-03-24 发布于广东
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温度和压强对制备微晶硅锗材料性能的影响.pdf

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温度和压强对制备微晶硅锗材料性能的影响.pdf

‘ 薄膜硅太阳电池及材料．153．温度和压强对制备微晶硅锗材料性能的影响术。，谷士斌1，2胡增鑫，1张建军1孙建1杨瑞霞2 1南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 2河北工业大学信息工程学院天津300132 【摘要】本文以si2H6和GeF4为源气体，用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术在不同衬底温度和功率条件下制备了硅锗薄膜材料。我们首先对材料的光电导和暗电导进行了测量，通过研究材料的光、暗电导的比值来分析材料的光学特性，然后用喇曼光谱和x射线衍射对材料的结构进行了研究。结果表明：硅锗材料的光暗电导比在等离子功率为30w，衬底温度为300。C时达到1000以上，随温度的升高、功率的增大硅锗材料的结构逐渐由非晶转变为微晶。我们将这种． ‘材料应用于微晶硅锗薄膜(1ic·SiGe)太阳能电池中，首次获得效率叩=4．2％的 1ic-SiGe薄膜太阳能电池。【关键词】微晶硅锗薄膜太阳能电池喇曼(Raman)光谱x射线衍射 and on InfluenceofSubstrate Pressure Temperature ‘ Silicon．GermaniumThinFiImMicrostructure GuShibinl·2Hu Sun Ruixia2 ZengxinlZhangJianjunljianlYang 1 of InstitutePhoto-lectronicsThinFilmDevicesand ofNankai of