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手机设计开发流程 本文由suichao2003贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 手机设计开发流程 手机 RF 原理 双频手机 RF 部分的设计 高频板布线要求 手机设计流程 一.手机原理 1 接收部分 天线开关为 FET 器件(双工器)是一个双刀掷模拟开关,其中一个刀进行收发信号切 换,另一个刀接测试口,其工作状态受开关管 T3,T4 组成的控制电路控制,控制指令为 RX—EN和 TX—EN. 当控制信号 RX—EN 为高电平时,天线开关处于接收状态,接收信号通过天线开关进 入陶瓷带通滤波器 BPF3,BPF2 进行高频滤波,然后再经过耦合电容 C103,C19,C109 送到 PMB6253 内进行低噪声放大,放大后的信号送入混频器, 高频放大器经过滤波后,与来自主压振荡器的接收本振信号 RXVCO 一起送入混频器 完成两信号的混频,混频后产生中频信号经耦合电容 C14,C87 通过 BPF1 将其中的杂波 滤除,再送到隔离放大器放大. 中频信号在收发 IC 内完成接收信号正交解调处理,完成解调处理后产生模拟接收基 带信号,RXI/RXQ 接收 I/Q 基带信号分别从 IC 的 8,9 脚输出. 在收发 IC,U1 内部,接收部分包括中频,中频放大,混频,PLL.13MHZ 主时钟, 主压器振荡器,接收中频和发射中频等. 手机高频原理方向图 二 发射部分 经 CPU 送出的 TX1,TXQ 分别送入收发 IC U1 以产生 TXIF 发射中频,发射中频输 入信号 TXIFIN 与 TXVCO 在 U1 内进行混频,鉴相,再产生振荡频率,预放大后从 U1, 28 脚输出,经耦合电容 C33 到功放 CX77301 4 脚,X3 为 TXVCO,功率控制 IC4 输出 误差电压以改变功放的放大量,达到改变发射信号的功率等级. 当控制信号 TX—EX 为高电平时,天线开关于发射状态. 新手机开发 GSM900/DCS1800 双频手机 RF 部分的设计 Desige of RF Unit for GSM900/DCS1800 Dual-band Handset 现介绍 GSM/DCSl800 双频段手机 RF 部分的基本工作原理和各单元的设计方案, 技术指标和参数计算.对几种不同的双频手机 RF 方案,在经过分析和比较之后,提出一种 性能价格比较高的技术方案. GSM 手机属高科技通信产品,其销售对象是千家万户,因此对手机的性能价格比要 求特别高,手机的利润只能体现在大批量的生产和销售中.针对这种情况,在满足欧洲电信 标准 ETS GSMll.10 技术规范的前提条件下,RF 部分的设计者必须在先行方案设计中就 充分注意到性能价格比,这将对手机在未来的市场上能否有竞争力产生十分重要的影响. GSM 手机的性价比是由各个组成单元的性价比来决定的,所以,对 RF 部分各个单元 电路进行认真,细致的分析和比较,这对于提高整机的性价比是十分重要的. l GSM900/DCSl800 双频手机的特点 双频手机有以下特点:根据基站的控制信令,双频手机即可以工作在 900MHz 频段网 络,也可以工作在 1800MHz 频段网络,当一个网络繁忙或信号质量差时,双频手机可自 动切换到另一个频段的网络上工作,而且这种切换基本上不影响话音质量.另外,从近来国 际上手机的发展趋势和 FTA(full type approval)认证的情况来看,双频手机以经是主流产 品.双频手机在两个不同的工作频段上,其基带部分信源编码,信道编码的算法和处理,信 令处理的方法和帧格式,调制解调方式,信道间隔等均相同. 2 GSM900/1800 双频手机 RF 部分 的主要技术指标和设计要求 GSM900MHz 部分的主要 RF 指标如下: 工作方式: TDMA—TDD 工作频率:上行 Tx(反向)880MHz-915MHz, 下行 Rx(正向)925MHz—960MHz 双工频率间隔:45MHz,载波间隔:200kHz 每载波时隙数: 8(当前全速率)/16(今后半速率) 每帧长度: 4.615ms,每时隙长:577μs 传输速率: 270.833kbps(即在每时隙上传 156.25bits) 调制方式: 采用 I/Q 正交 GMSK 调制 静态参考灵敏度: 优于-102dB/RBER(Resiodual BER)2% 动态范围: -47dBm—110dBm 频率误差:1×10-7,相位误差的均方根值 5%,相位误差峰值:20° 射频输出功率:5 级(33dBm)--19 级(5dB