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第3章 固态相变的形核与长大
3.1 相变形核
均匀形核,非均匀形核
3.2 相变宏观动力学
Avrami方程
3.3 相变过程竞择性
3.4 相变过程自组织
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3.1 相变形核
1 、均匀形核
驱动力
阻 力
相自由能(焓)差ΔG
应
变
能
界
面
能
主要是由由两相比容不同而引
起的畸变能。其大小还与新相形
状有关,球状 针状 盘状
由新相长大时额外需要的界面
能量。界面能取决于两相的键结
合能和形状。相同V,其球状的
表面积最小,界面能也最小。
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当形成一晶核时,自由焓变化为:
设晶核为球形,则:
对于Fe-C合金,一般情况下, ΔG在1000 J/cm3 数量级,共格界面能σ约在2×(10-6~10-5)J/cm2 ,非共格界面能约为7 ×10-5J/cm2 ,球形时的共格应变能ΔGe 30 J/cm2
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图 经典理论的相变形核临界晶核半径和临界形核功
(a)均匀形核;(b)非均匀形核;(c)无势垒形核
偏聚形核
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2 非均匀形核
系统自由焓变化为:
ΔGd是缺陷处形核松弛的能量。
1) 晶界(相界)形核 (假设为透镜状)
透镜体积为:
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两晶粒交界面上透镜状晶核
晶界上不对称形状的晶核
界面张力平衡条件为:
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经计算可得临界晶核半径和临界形核功:
如设
2?3cosθ+cos3θ为形状因子. 晶界形核的临界形核功大约为晶体中形核功的1/3
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2、 位错形核
单位位错上形成一圆
柱形晶核.界面能为正,
应变能则应为负.其能量
变化为:
刃型位错:
螺型位错:
令:
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位错形核的能量与晶核半径的关系
对于A线, 过饱和度小,ΔG*有两峰值,晶核长大要跨越能垒. 在r0时, ΔG*为极小值,在位错线上可能形成r0大小的原子偏聚区,不能长大.
对B线,过饱和度很大, a1 ,所有晶核都能长大.
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位错形核与晶界形核的难易程度是不相上下的,在同一个数量级。 一般来说, ΔG#是按照下列顺序递减的:
均匀形核 空位 位错 层错 晶界、相界 表面
位错促进形核
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