二茂铁聚倍半硅氧烷修饰电极测定抗坏血酸.pdf

第七届全国催化剂制备科学与技术研讨会 二茂铁聚倍半硅氧烷修饰电极 测定抗坏血酸 陈婧张铁明高春光+ (山西大学化学化工学院精细化学品教育部工程研究中心山西太原03006) 摘要：以l，1’一双[2一(三乙氧基硅基)乙基]二茂铁单体为前驱物，经溶胶一凝胶过程制备了 乙氧基二茂铁桥联聚倍半硅氧烷膜玻碳修饰电极。采用循环伏安法研究了该修饰电极的电化学行 为。在0．1 活性。 关键词：二茂铁桥联聚倍半硅氧烷；电催化；抗坏血酸；循环伏安法 抗坏血酸(ascorbic acid，AA)是维持人体健康的重要维生素之一，广泛存在于食品、药物和人体 中，但由于其氧化产物易对电极产生污染，且它在裸电极上有较高的过电位，而导致其测定灵敏度低、 重现性差¨。2J。因此运用修饰电极测定AA已成为众多化学工作者研究的热点。二茂铁(ferrocene) 及其衍生物是一类富电子体系，其修饰电极的特征是膜中有氧化还原中心，在电位扫描过程中能发生 氧化或还原反应，还能对反应物活化或促进电子的转移速率。将其制备成的化学修饰电极，电极稳定 性好、灵敏度高，对AA有良好的电催化氧化作用。 1实验部分 4℃放置7d，制得BTEF—PVA修饰电极。 2结果与讨论 PVA修饰电极则出现一对明显的氧化还原峰(图1b)，这对氧化还原峰显然来自玻碳电极表面的二茂 铁修饰膜。由曲线b还可看出该氧化还原峰的氧化峰电位E，。为0．347V，其还原峰电位E，为 子转移过程。从曲线C和d可以看出，加入AA后，裸玻碳电极产生了一个较大的氧化波，但无集中的 氧化峰，其电流最高响应处电位为0．398V；BTEF—PVA修饰电极的氧化峰则明显增强，还原峰消失， 这是电催化氧化的典型特征。与裸电极相比，AA在修饰电极上氧化峰降低了39mV。催化峰电位与 BTEF的氧化峰电位一致，表明BTEF起着电子媒介体的作用。 --·——228．—-—— 第七届全国催化剂制备科学与技术研讨会 夕≥fI ∞巧幻佰们5 ． - 0巧∞侣 0．0 0．1 0．2 0．3 0．4 0．5 0．6 e／(v) 图1在0．01mol·L～NaCIO。的磷酸缓冲溶液(pH=8．0)中cV行为的比较， l，=0．05V／s。(a)未加AA的裸电极响应，(b)未加AA的BTEF／PVA响应， 1 ofAAin0．1MNaCl04 Fig Cyclicvohammograms phosphatebuffer(pH=8．O)； ata GCE 1，=0．05 theabsenceAA bare theabsenceAAat V／s；(a)in electrode；(b)in BTEF／PVA； molL—AAatabareGCE L一1AAatBTEF／PVA． (c)3．1×10—3 electrode；(d)10—3tool 3结论 以二茂铁桥联聚倍半硅氧烷单体BTEF为前驱物，采用溶胶一凝胶法制备了二茂铁聚倍半硅氧烷 膜修饰玻碳电极。循环伏安表征结果表明，表明该修饰电极具有很好的电化学响应，连续多次扫描证 对抗坏血酸具有很好的催化活性。 参考文献 S D．DiferentialPulse DeterminationofAscorbicAcidwithFerrocene—