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第1章_倒易点阵及电子衍射基础课件.ppt
The following figures show the annotation of crystal surfaces 1.6 晶带定律与零层倒易截面 晶体中,与某一晶向[uvw]平行的所有晶面(HKL)属于同一晶带,称为[uvw]晶带,该晶向[uvw]称为此晶带的晶带轴,表示为 此晶带内的各晶面用相应的倒易矢量来表示为 ∵ ∴ (22) 即 (23) 由此可知, 与 分别定义的正点阵与倒易点阵互为倒易。 (2) 决定大小 决定方向 (2)倒易点阵的性质 据式(1)有 倒易矢量及其基本性质 在倒易点阵中,以任一倒易点为坐标原点O*(000),由倒易原点O*(000)指向任一坐标(HKL)的矢量称为倒易矢量,表达为 (5) 其基本性质: 上式表明: 倒易矢量垂直于正点阵中相应的(hkl)晶面,或平行于它的法向; 倒易阵点的一个点代表的是正点阵中的一组晶面。 证 明: (1)设平面ABC为(HKL),根据晶体学的定义,(HKL)在三晶轴上的截距为: 显然, 因为, 所以 同理可证: 则 n0 (2)设 n0 为(HKL)法线方向的单位矢量 ,显然, 且 晶面间距dHKL应为该平面的任一截距在法线方向上的投影长度 所以 同理可以证明: 对正交点阵,有 对立方系来讲,晶面法向和同指数的晶向是重合的,即倒易矢量是与相应指数的晶向平行。 a1* // a1; ……….. a1* = 1/a; ………. 1.3. 正点阵与倒易点阵的指数互换 (1)正点阵与倒易点阵基矢间的关系 假设正点阵基矢与倒易点阵基矢间可以通过变换矩阵[G]作如下变换 (6) 将(6)式两端右乘行矩阵 (7) 由 可得 式中 (i, j = 1, 2, 3) (8) 利用(6)式可以将倒易基矢变换为正基矢。 将(6)式两端左乘[G]-1得 (9) 再将式(9)两端同时右乘 (10) 其中 (i, j =1, 2, 3) 举例: 对立方晶系 a1 = a2 = a3 = a α=β=γ=900 (2)正点阵与倒易点阵指数间的互换 对立方系,晶面(HKL)与其同名的晶向[HKL]垂直, 即 但对非立方晶系,这种关系在多数情况下不成立,因此,需要解决以下两个问题: 已知(HKL)晶面,求其法线方向[uvw] 已知某一晶向[uvw],求与其垂直的晶面 设[uvw]是(HKL)晶面的法线,[uvw]⊥(HKL),有 显然, 和 是同一方向的矢量在正倒空间的不同表达方式,可用数学式表达为 (11) 写成等式为: (12) (13) 式中 乘以一个K因子是为了将 和 均变为无量纲的单位矢量,实际上与[uvw]垂直的晶面是一系列平行的晶面组,如在立方系中,与[110]垂直的晶面有(110),(220),(330)。 同样,(111)晶面的法线方向也可以是[111],[222]等。 因此, 可以将(13)式中的K取消,写成等式 (14) 将(14)式两端分别乘以, 、 、 ,得 (15) 写成矩阵形式为 (16) 举例: [uvw]与其同名的晶面组(uvw)垂直。 (1)立方晶系 (2) 六方晶系 如六方晶系的MoC, a = 2.90? , c = 2.77 ? , 求与晶向[uvw] = [111] 垂直的晶面。 代入数据计算得 (HKL)=(4.205,4.205,7.673)=(1,1, 1.85)≈(559) 同理,将(14)式两端分别乘以 , 有 (17) 或将(16)式两端乘[G]-1得到同样结果。 1.4. 晶面间距与晶面夹角公式 (1)晶面间距 由倒易矢量的性质 进一步可写成 即 (18) 此式为适用于任何晶系的通用公式。 对立方晶系 cosα* = cosβ* = cosγ* = 0 则有 (19) (2)晶面夹角公式 两晶面间的夹角可用两晶面法线夹角表达,也即可用两晶面对应的倒易矢量夹角表示,故有 (20) 上式 适用于任何晶系。 对立方晶系,夹角公式为 (21) 1.布拉格实验 实验装置如图所示。 C为样品; 入射线以掠射角或布拉格角?照射样品; 满足反射定律的方向设置反射线接收装置; X射线照射样品过程中,记录装置与样品台以2:1的角速度同步转动,以保证记录装置始终处于反射线位置上。 试验结果表明,即仅在特定的角度才有反射线,X射线的反射具有选择性,即“选择反射”。 1.5.1 布拉格定律 1.5 Bragg定理及其几何图解 2. 布拉格方程的推导 考虑: 晶体
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