1.4场效应管讲述.pptVIP

UESTC 302 UESTC 302 §4 场效应管 * 一、场效应管的分类和符号 二、结型场效应管 三、绝缘栅型场效应管 一、场效应管的分类和符号 场效应管(Field Effect Transistor --- FET)与BJT不同，导电过程中只有一种载流子参与，所以是单极型晶体管。 结型场效应管，JFET (Junction FET) 2. 绝缘栅型场效应管， MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) FET按结构可分为： JFET MOSFET N沟道耗尽型 N沟道耗尽型、N沟道增强型 (Depletion) (Enhancement) P沟道耗尽型 P沟道耗尽型、P沟道增强型 JFET G S D MOSFET D G S FET电路符号: D(Drain) —— 漏极 G(Gate) —— 栅极 S(Source)——源极 * * 1. FET的D到S之间的电流通道称为沟道 2. 以N型材料为沟道的FET称为N沟道FET 3. 以P型材料为沟道的FET称为P沟道FET 4. UGS= 0时存在沟道的FET称为耗尽型FET 5. UGS= 0时不存在沟道的FET称为增强型FET FET名词： FET与BJT三电极对应关系 D G S C B E C B E D G S 增强型 二、结型场效应管 JFET结构与电路符号 N P+ P+ G(栅极) S(源极) D(漏极) N沟道JFET 电路符号中箭头表示PN结方向( P ? N) G S D P N+ N+ G(栅极) S(源极) D(漏极) P沟道JFET G S D 导电沟道 PN结耗尽层 * 栅极与衬底之间依靠反向偏置的PN结隔离 改变栅极电压使得PN结耗尽区厚度改变，也就是导电沟道深度变化，从而控制漏极电流 必须保证PN结始终处于反向偏置 * * N沟道JFET的输出特性曲线 可以看到FET的工作曲线是和BJT很类似的，也可以把FET看作是电压控制电流源，只是电压和电流的关系近似满足平方率关系，而非BJT满足的指数关系 三、绝缘栅型场效应管 G S D MOSFET栅极和衬底之间是二氧化硅，是电气绝缘的，所以栅极电流IG=0，比BJT更节能高效； 而且MOSFET只有一种载流子导电，没有电荷存储效应，开关速度更快，因此更适合作为开关，数字电路基本上由MOSFET组成。 * 沟道的形成： MOS器件的3个工作区 * 1. 截止区 VGSVTH MOSFET 处于截止区 * 2. 线性区 MOSFET 处于线性区 * 3. 饱和区 MOSFET 处于饱和区 * * * * * * UESTC 302 UESTC 302 * * * * * *