第01讲MOS晶体管与双极型晶体管的比较.pptVIP

大规模模拟集成电路 * 强反与速度饱和条件下fT的模型 大规模模拟集成电路 * 强反与弱反条件下fT的模型 大规模模拟集成电路 * fT与状态系数i的关系 大规模模拟集成电路 * 实例：是fT吗?（L=Lmin） 大规模模拟集成电路 * MOST电容CSB和CDB 大规模模拟集成电路 * 射频（RF）模型 大规模模拟集成电路 * MOST简单模型总结 大规模模拟集成电路 * MOST模型逐渐复杂，参数增加 大规模模拟集成电路 * MOS模型的检验 大规模模拟集成电路 * 本讲内容 MOS晶体管模型 双极型晶体管模型 MOS与双极型晶体管的比较 大规模模拟集成电路 * 双极型晶体管（BJT） 大规模模拟集成电路 * 双极型晶体管的ICE与VBE 大规模模拟集成电路 * BJT的小信号模型：gm与ro 大规模模拟集成电路 * BJT的电容：Cπ 大规模模拟集成电路 * BJT的电容：CD 大规模模拟集成电路 * BJT的电容：Cμ与CCS 大规模模拟集成电路 * 双极型晶体管：fT 大规模模拟集成电路 * 双极型晶体管：fT与ICE 大规模模拟集成电路 * BJT模型简单总结 大规模模拟集成电路 * 本讲内容 MOS晶体管模型 双极型晶体管模型 MOS与双极型晶体管的比较 大规模模拟集成电路 * 比较之一 大规模模拟集成电路 * 比较之二：最小VDS 大规模模拟集成电路 * 比较之之三：gm /IDS 大规模模拟集成电路 * 选择gm的设计参数 大规模模拟集成电路 * 比较 大规模模拟集成电路 * 本讲内容 MOS晶体管模型 双极型晶体管模型 MOS与双极型晶体管的比较 大规模模拟集成电路 * 跨导gm 与VGS的关系 大规模模拟集成电路 * 转换电压VGSt 与弱反(wi)和强反(si) 大规模模拟集成电路 * 不同沟道长度L下的转换电压VGSt 大规模模拟集成电路 * 弱反(wi)和强反(si)之间的转换 大规模模拟集成电路 * 弱反(wi)和强反(si)与比值gm/IDS 大规模模拟集成电路 * wi和si 间平滑变换EKV模型 大规模模拟集成电路 * 弱反(wi)和强反(si)转换的电流IDSt 大规模模拟集成电路 * VGS – VT与电流变换系数i间的关系 大规模模拟集成电路 * 弱反和强反条件下的跨导gm 大规模模拟集成电路 * GM与反型状态系数i 大规模模拟集成电路 * 本讲内容 MOS晶体管模型 作为电阻的MOS晶体管 在强反状态作为放大器件的MOS晶体管 在弱反和强反状态之间的变换 在强反和速度饱和状态之间变换 电容与fT 双极型晶体管模型 MOS与双极型晶体管的比较 大规模模拟集成电路 * 速度饱和条件下IDS和gm与VGS之间的关系 大规模模拟集成电路 * 饱和区与速度饱和 大规模模拟集成电路 * 跨导gm与VGS 大规模模拟集成电路 * 速度饱和：Vsat与θ 大规模模拟集成电路 * 速度饱和：Vsat、θ与RS 大规模模拟集成电路 * 强反(si)与速度饱和(vs)之间的转换电压VGSTvs 大规模模拟集成电路 * 强反与速度饱和之间的转换电流VIDSvs 大规模模拟集成电路 * 强反(si)与速度饱和(vs)状态的跨导gm 大规模模拟集成电路 * 是速度饱和吗？ 大规模模拟集成电路 * 不同时期晶体管技术的强反、速度饱和的VGS-VT的数值 大规模模拟集成电路 * MOST在强反状态的工作范围 大规模模拟集成电路 * 不同L条件下gm与VGS的关系(tox相同） 大规模模拟集成电路 * 不同tox条件下gm与VGS的关系(tox~Lmin/50） 大规模模拟集成电路 * MOST的IDS,gm以及gm/IDS 大规模模拟集成电路 * 栅电流 大规模模拟集成电路 * 本讲内容 MOS晶体管模型 作为电阻的MOS晶体管 在强反状态作为放大器件的MOS晶体管 在弱反和强反状态之间的变换 在强反和速度饱和状态之间变换 电容与fT 双极型晶体管模型 MOS与双极型晶体管的比较 大规模模拟集成电路 * MOS晶体管电容 大规模模拟集成电路 * MOST的电容CGS与CGD 大规模模拟集成电路 * MOS晶体管的fT（条件iDS=iGS) 大规模模拟集成电路 * 高速设计 大规模模拟集成电路 * fT的最大值与沟道长度L的关系 大规模模拟集成电路 * MOS与双极型晶体管的比较 大规模模拟集成电路 * 本讲内容 MOS晶体管模型 双极型晶体管模型 MOS与双极型晶体管的比较 大规模模拟集成电路 * 从双极型到MOS晶体管的过度 大规模模拟集成电路 * SIA预测的集成电路工艺发展 大规模模拟集成电路 * Moore定律 大规模模拟集成电路 * ISSCC2005论文的分布情况 大规模模拟集成电路 * 不同工艺条