福州大学微电子学概论复习.docVIP

填空题 目前集成电路的最主要材料是硅、锗硅、砷化镓、碳化硅、（磷化铟）。 模拟集成电路一般可以分为线性电路和非线性集成电路。 集成电路的集成度、集成电路的功耗延迟积、特征尺寸是描述集成电路性能的主要方面。 根据集成电路中有源器件的机构类型和工艺技术可以将集成电路分为三类，它们分别为双极集成电路、金属-氧化物-半导体（MOS）集成电路和双极-MOS混合型即BiMOS集成电路。 光电子器件是光子和电子共同起作用的半导体器件，主要包括 三大类：1）将电能转换成光能的半导体电致发光器件；2）以电学方法检测光信号的光电探测器；3）利用半导体内光电效应将光能转换为电能的太阳能电池。 可测性设计是指在尽可能少地增加附加引线脚和附加电路，并使芯片性能损失最小的情况下，满足电路可控制性和可观察性的要求。 集成电路设计的最终输出是掩模版图，通过制版和工艺流片可以得到所需的集成电路。 数字集成电路设计的基本过程功能设计、逻辑和电路设计、版图设计。 太阳能电池的工作机理是光生伏特效应，即吸收光辐射而产生电动势。 目前集成电路设计中常用的几种主要设计方法包括全定制设计方法、定制设计方法、半定制设计方法、可编程逻辑电路设计方法（包括可编程逻辑器件和现场可编程门阵列方法）。 名词解释 Wafer 晶元。是生产集成电路所用的载体，多指从拉伸长出的高纯度硅元素晶柱上切下的圆形薄片。 IC 集成电路。英文integrated circuit的缩写。同时也是半导体元件产品的统称，包括集成电路板、二极管、三极管、特殊电子元件等。 Moore Law 摩尔定律。由Intel公司的创始人之一-高登·摩尔（Gordon E·Moore）在1965年提出的集成电路产业发展规律预言：集成电路的集成度每3年增长4倍，特征尺寸每3年缩小倍。自该定律发表以来，集成电路产业基本上是按照其预言的速度持续发展的。 全定制方法 全定制方法是指：在电路设计中进行电路结构、电路参数的人工优化；完成电路设计后，人工设计版图中的各个器件和连线，以获得最佳性能（速度和功耗）和最小芯片尺寸。（一般用于通用数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路。这种设计技术是一种以人工设计为主的设计方法，易出错，需要版图编辑工具辅助设计和完善的EDA工具进行设计检查和验证。同时其有周期长，成本高的特点，一般适用对性能要求很高或批量很大的产品） CMOS 互补金属氧化物半导体。英文Complementary Metal Oxide Semiconductor的缩写。是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。采用CMOS技术可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）集成在一块硅片上。该技术通常用于生产RAM和交换应用系统，在计算机领域里通常指保存计算机基本启动信息（如日期、时间、启动设置等）的ROM芯片。 FPGA 现场可编程门阵列。英文Field-Programmable Gate Array的缩写。它是在PAL、GAL、CPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。FPGA利用小型查找表（16×1RAM）来实现组合逻辑，每个查找表连接到一个D触发器的输入端，触发器再来驱动其他逻辑电路或驱动I/O，由此构成了既可实现组合逻辑功能又可实现时序逻辑功能的基本逻辑单元模块，这些模块间利用金属连线互相连接或连接到I/O模块。FPGA的逻辑是通过向内部静态存储单元加载编程数据来实现的，存储在存储器单元中的值决定了逻辑单元的逻辑功能以及各模块之间或模块与I/O间的联接方式，并最终决定了FPGA所能实现的功能，FPGA允许无限次的编程。 Die 芯片裸片。以硅工艺为例，一般把整片的硅片叫做wafer，通过工艺流程后每一个单元会被划片，封装。在封装前的单个单元的裸片叫做die。 Foundry 标准工艺加工厂，又称代客加工厂。词源自加工厂的铸造车间，无自己的产品，以优良的加工技术及优质的服务为客户提供加工服务。客户群初期多为没有生产线的设计公司（Fabless），但随着技术的发展，现在许多IDM公司注②也将相当多的业务交给Foundry加工。 MPW 多项目晶圆。英文Multi Project Wafer的缩写。是将多个使用相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆片上流片次制造费用由所有参加MPW的项目按照芯片面积分摊 IP 知识产权核，是具有知识产权的集成电路芯核的简称。英文Intellectual Property的缩写。为满足TTM注①的要求，SoC的设计要采用新的设计方法来提高设计效率。多采用基于平台的设计方法，用已设计好的模块来集成，这些模块就称为IP核。其分为软核（Soft IP）、固核（Firm IP）、硬核（Hard IP）。 SOC 片上系统，也称作系统级芯片。英文System on a Ch