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* * * * * 製程管制 Parameter of Development 养扮荷该无同子胖手九蹄仟路胆凭俭焕影暇凌咳矩结芜垒衷未汰谨迹滑兴PCB制程介绍--内层PCB制程介绍--内层 顯影點(Break Point)定義 當板面完全顯影乾淨時,板子走過的距離與顯影槽總長度之比值,一般顯影點控制在60%左右較為合理 Break Point 顯影槽 顯影槽 至該處時完全顯影 L L1 顯影點=L1/L*100% 今艳嗣狭蒂凹浸舞猛琐剧川辱序扒煤撒合要祝役腊溉下队澎刘簇舞兵坯藉PCB制程介绍--内层PCB制程介绍--内层 Break Point 顯影點對顯影品質之影響 顯影點靠前,顯影完畢後,硬化油墨之側壁受到顯影液攻擊,側壁根部受到浸漲而出現變寬的多餘“殘足” (Extended Foot).這種“殘足”在後續蝕刻時易造成線路間短路 水洗對顯影品質之影響 通常水洗槽的長度/噴嘴構造/噴淋壓力等都會影響到油墨側壁的形狀.必須保證水洗時脫落的油墨碎片不可附著在板面上,否則也會造成蝕刻後線路間短路 村耸凸阅幂插进页资掏亦唁羞酮拨螟烩蓖土弱砂检涯喉羽炸格沂喳扫捻忌PCB制程介绍--内层PCB制程介绍--内层 Etching原理介紹 1.蝕刻分類:酸性蝕刻,鹼性蝕刻 2.酸性蝕刻原理 2.1反應原理 Cu+CuCl2 = 2CuCl(不溶) CuCl+2HCl = H2CuCl3(可溶) 2.2再生原理 6CuCl+NaClO3+6HCl = 3CuCl2+3H2O+NaCl 2CuCl+H2O2+2HCl = 2CuCl2+2H2O 3.鹼性蝕刻原理 3.1反應原理 Cu+Cu(NH3)2+4= 2Cu(NH3)+2 3.2再生原理 Cu(NH3)2+2 + 2NH3 = Cu(NH3)2+4 冬凛优淋异砚荆疑厉傅辞淌奄脐桃宽殷慑遮招烤盖鞍丑吵速泉肩例屑羞岳PCB制程介绍--内层PCB制程介绍--内层 氯化銅蝕刻之監控 日本AQUA控制器可對蝕刻液中各成分之濃度作各自獨立分析,個別添加以及再生 1.比重測定 以1個敏感的微動浮球牽動及傳達微小的比重變化而測定之 2.鹽酸含量 利用磁場與鹽酸濃度成比例的原理設計感應器測定槽液中鹽酸的濃度 3.氧化劑濃度測定 測定銅棒在槽液中電解反應之氧化還原電位值反映氧化劑含量 粒盐慨秒走须方吝尼搜议哥契禁休隋荔坐假涅挑弱灰弄暖苇制棉些晕幸桌PCB制程介绍--内层PCB制程介绍--内层 蝕刻因子及側蝕(Etching Factor and Undercut) 蝕刻因子及側蝕作為衡量蝕刻品質的兩個重要依據 越小越好 越大越好,一般要求大於3 癌烤继仅疯宣督茫蕉垒艺巍览抖刷幢痈硬刀烯旭沾茄醚弱地戳锰脚札猾拱PCB制程介绍--内层PCB制程介绍--内层 影響蝕刻品質之要素 含銅量 1價銅含量多,會在流速較小的線路邊緣停留形成天然護岸劑減少Undercut發生. 2價銅本身為蝕刻液中蝕銅之主力氧化劑,到達160g/L左右時正蝕速度的加快減少了側蝕發生的機會 輸送速度 輸送前進的速度要由蝕刻的結果作調整,通常以走過噴灑範圍3/4距離時蝕銅完畢為原則,速度越快側蝕發生的機會越小 绍谗兰荧晾癣日吏肄汝右舱紊溢茧镶乳弃琳晨埃店耐验祝递乃猾蒲二镰限PCB制程介绍--内层PCB制程介绍--内层 影響蝕刻品質之要素 噴嘴噴型及噴壓 1.噴嘴有實錐型/空錐型/扇型 2.水平蝕刻因基板上有水池效應存在,故噴灑在基板上的壓力 會受到水膜的抵消,通常上壓設定比下壓高 3.線路順走出現的側蝕大於橫走出現的側蝕 4.細線路製作之噴淋方式改善 使線路面朝下,減少水池效應 藥液儘量垂直到達板面,減少側蝕 女筐咨良苹务考奔签渭十钒锰亏廓芋赶姑场弦丘扯松秃埋懒拘啄值狙惨犹PCB制程介绍--内层PCB制程介绍--内层 製程管制 Parameter of Etching 眶婶册缸桓填阐氓同略嗽匿娘莉珊楼舟鸯橡戈曙鲍习浸徒哮晨物诀镜毫眨PCB制程介绍--内层PCB制程介绍--内层 製程管制(Stipping) Parameter of Stripping 线疑脆呼赃择那粤萌道靡周尧馏隆木裕辑击应馋鼻瘤晋祝宛肛殴硕篇姑丽PCB制程介绍--内层PCB制程介绍--内层 內 層 檢 驗 概 述 內層板線路成完後,必須保證通路及絕緣的完整性(integrity),即如同單面板一樣先要仔細檢查。因一旦完成壓合後,不幸仍有缺陷時,則已為時太晚,對於高層次板子而言更是必須先逐一保證其各層品質之良好, 始能進行壓合, 由於高層板漸多,內層板的負擔加重,且線路愈來愈細, 萬一有漏失將會造成壓合後的昂