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工业微型计算机辅导4 存储器 存储器分类 内存（内部存储器）：容量小，速度快，CPU直接访问。微型计算机内存：半导体存储器。 外存（外部存储器/海量存储器） ：容量大，速度慢，属于外部设备，需要配备专门的设备完成对外存的读写。例如：软磁盘，硬磁盘，盒式磁带，光盘存储器。外存信息必须读入内存后通过内存传送给CPU 半导体存储器分类 工艺：双极型，CMOS型，HMOS型。 应用角度：RAM (随机存取存储器）意指随机存取存储器，其工作特点是：在微机系统的工作过程中，可以随机地对其中的各个存储单元进行读／写操作。 ROM（只读存储器) 只读存储器ROM 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改，大量生产，成本低。 可编程ROM(PROM）：空白存储器（FFH)允许一次编程，此后不可更改。写入过程称为固化程序,适合批量使用 可擦除的PROM(EPROM)：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程。一般用于研制和开发 电擦除的PROM(EEPROM)（E2PROM）：以字节为单位擦除和改写，不用拔下芯片插入编程器编程，采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写。可作为不易失RAM使用 EPROM 典型芯片： 2716 2KB 11条地址线 2732 4KB 2764 8KB 13条地址线 27128 16KB 27256 32KB 27512 64KB EEPROM（E2PROM） 典型芯片： 2816 2KB 11条地址线 ROM 随机存取存储器RAM 按制造工艺 双极型：速度快、集成度低、功耗大 MOS型：速度慢、集成度高、功耗低。微机中一般使用MOS型 读写存储器也分为静态RAM与动态RAM和非易失性RAM。 工作原理：双稳态触发器 基本存储单元：6个晶体管 缺点：容量小 功耗大 集成度低 优点：速度快 不需要刷新电路 适用：不需要大存储容量的计算机（如单片机和单板机） 典型芯片： 6116 2K*8位 11根地址线 （7根行地址，4根列地址），片选 CS# 输出允许OE# 读写控制WE# 6264 8K*8位 62256 32K*8位 动态RAM 工作原理：电容存储电荷的原理 基本存储单元：单个场效应管及其极间电容 缺点：需要刷新电路 优点：电路简单 集成度高 功耗低 容量大 价格便宜 适用于：大容量存储器 典型芯片： Intel 2164A 64K*1bit 8根地址线 （8根地址A0-A7)片选 (1根行地址选通RAS#1根列地址选通CAS#），读写控制WE# 非易失性RAM SRAM DRAM EEPROM共同组成 工作原理：正常运行时和SRAM一样,而在掉电或电源有故障的瞬间，把SRAM的信息保存在EEPROM中，使信息不会丢失 适用于：存储非常重要的信息和掉电保护。 新型存储器 快擦写ROM(FLASH ROM) Integrated RAM 半导体存储器性能指标 容量：指每个存储器芯片所能存储的二进制数的位数。 存储器芯片容量=单元数*数据线位数 例如：Intel 2116 存储容量=1K*4位 Intel 6264 存储容量=8K*8位=8KB 存取速度:存储时间：指从CPU给出有效的存储器地址到存储器给出有效数据所需要的时间按。 例如：超高速存储器：20ns;中速存储器：100——200ns ;低速存储器：300ns CPU与存储器的连接 存储器扩充方式：位扩充，字扩充 位扩充（数据宽度的扩充） 当实际存储芯片每个单元的位数和系统需要内存单元字长不等时采用的方法。 字扩充（字节数的扩充） 当存储芯片上每个存储单元的字长已满足要求，但存储单元的个数不够，需要增加的是存储单元的数量，就称为字扩展。 字位扩充 需要同时进行位扩充和字扩充才能满足系统存储容量需求的方法称为字位扩充。 常用的译码方法：全译码、部分译码、线译码 位扩充 （字扩充） 全译码示例 线选译码示例 线选译码示例 译码器74LS138 74LS138的功能表 存储空间分配 0-9FFFFH 640KB 主存储器（常规 内存） A0000H-FFFFFH 384KB 内存保留区（视频适配器和ROM-BIOS） 地址在100000H以上的存储器称为扩展存储器 (XMS) 100000H-10FFFFH即1024KB-1088KB 64KB 高位内存（HMA)，也叫高端内存。属于扩展存储器的一部分。 39．动态半导体存储器的特点是 ( ) A．在工作中存储器内容会产生变化 B．每次读出后，需要根据原存内容重新写入一遍 C．每隔一定时间，需要根据原存内容重新写入一遍 D．在工