微机原理及接口技术-第6章-存储器.pptVIP

第六章 Memory 第一节 存储器分类 第二节 随机存储器RAM 第三节 只读存储器ROM 第四节 CPU与存储器的连接 第五节 存储器空间的分配和使用 6-1 Category of memory 一、按用途分类 usage 1、inner 内部存储器：主机内的存储器 特点： 速度快（CPU直接访问）； 容量小（受地址线限制） 8086：1MB 80386 ：4000MB（32根AB） 主要用于存放系统软件（如引导程序、监控系 统、操作系统） 2、outer 外部存储器（辅助存储器） 如 ：软盘、硬盘、光盘等。 特点：速度稍慢，容量大。 二、按性质分类 characteristic 1、随机存取存储器RAM 特点：断电后数据丢失 静态的SRAM 特点：存取速度快(由6个MOS管组成一位) 常用于组成高速缓冲存储器。 动态DRAM 特点：速度快（由单管MOS组成）; 需要周期性刷新 2、只读存储器ROM 数据只能读出，不能写入， 断电后数据仍保留 ROM， PROM，EPROM， EEPROM 6-2 随机存取存储器RAM random access memory 一、静态SRAM static 1. SRAM的构成 存储器芯片内部结构框图如图所示： 由地址译码器、存储体、控制逻辑和三态缓冲器组成。 （1 ）存储矩阵 字结构存储单元： D7 D0 8位为一个存储器单元 8位同时读出或写入 例 ：要组成1K×8 的存储器，采用128 ×8的 芯片 位结构存储器芯片 基本单元作不同字（字节）的同一位. 例如：用1024×1芯片组成 1K存储器, 则需8片此种芯片。 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 1024个 单元 8 7 6 5 4 3 2 1 （2）地址译码器 address decoder 行：低地址位送存储器，经译码选存储单元 列：高地址位经译码产生片选信号 行、列均选中，在读/写控制信号作用下，进行操作。 （3）控制逻辑与三态缓冲器 CPU? High byte address?decode? /CS 2、 静态SRAM芯片 2114——1K×4 6116——2K×8 6264——8K×8 62128——16K×8 62256——32K×8 如右图： 图中：A0 ～A12：地址线 I/O1～I/O8：数据线 WE：写允许 OE：读允许 CE1、CE2 ：片选 Vcc: +5V Vss：GND 二、动态DRAM dynamic 结构 “1”-----0.2V(读出时0.1v) C’为分布电容 C为信息存放电容 2、刷新过程： refresh 一行一行进行刷新 刷新一行的时间称为刷新周期（2ms） 3、典型的DRAM芯片 2164——64K×1 2164引脚图如下示