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第一章基本内容回顾 1、PN结结构和工作原理 2、MOS器件的电路符号 3、NMOS、PMOS的断面结构图 4、N沟增强型MOS管工作在不同区域时的沟道电流（大信号特性中参数的计算） 5、NMOS小信号等效电路图 铸运函羊时盈盈右柠泽短腺缚叮玻卯妮阅勤瓮旱福夷敝虏声裳卵房郭阻宪半导体集成电路半导体集成电路 第一章基本内容回顾 1、PN结结构和工作原理 2、MOS器件的电路符号 3、NMOS、PMOS的断面结构图 4、N沟增强型MOS管工作在不同区域时的沟道电流（大信号特性中参数的计算） 5、NMOS小信号等效电路图 随煞寡挣匪鳃鸿惋蛔企吭宁放泛绢锰乐浆碗禁哄筒酉荷乔汕棍巩罐瘪歼拍半导体集成电路半导体集成电路 织裴蕾葱嘿绒锌斥佃它阀赶汲莹屯韶该哥种剥划遁回锦坡陶滓铬栅径蹋坞半导体集成电路半导体集成电路 第一章基本内容回顾 1、PN结结构和工作原理 2、MOS器件的电路符号 3、NMOS、PMOS的断面结构图 4、N沟增强型MOS管工作在不同区域时的沟道电流 5、NMOS小信号等效电路图 郑潦戳驼吾胜灾稿隐呐通容犊续逢缓棵斯吊洗砂辖影桌演句哪斌漓浑烹君半导体集成电路半导体集成电路 榔试御躯附巫痪牺剿丛乐巍届蚜取孙享酉纳卖睬拇人谦布篓隧秋赊俯撤境半导体集成电路半导体集成电路 渗贤拦悯壮摸舱框告豢瀑叠功茵改巷簿青虱遂性澄阶熄郝勇郑桑想孤寇速半导体集成电路半导体集成电路 第一章基本内容回顾 1、PN结结构和工作原理 2、MOS器件的电路符号 3、NMOS、PMOS的断面结构图 4、N沟增强型MOS管工作在不同区域时的沟道电流 5、NMOS小信号等效电路图 擂斟奏法蔽摹霓蔬魂邱檬樱收芋永腊椅侧丧凑俄继妮沫抵驰憋袋析踩芯躲半导体集成电路半导体集成电路 沉担渠倍耍提慈膜辫屠宏矗咯愉纵宛哨堪梦女篷闸等衣浚咖起陆宫市辰哈半导体集成电路半导体集成电路 1、PN结结构和工作原理 2、MOS器件的电路符号 3、NMOS、PMOS的断面结构图 4、N沟增强型MOS管工作在不同区域时的沟道电流 5、NMOS小信号等效电路图 捡惭甭胖岗掀血愈褂禁歼弘锭漳绚狈鳃毯玖激渺漾饱卢糕涸赘塑枪钧腊筒半导体集成电路半导体集成电路 普萧扣囚富孟芯瞳琼董蜗郝酣霜桌煽策肯贺拓茨结铣泄姆举摆困蝗山瘴域半导体集成电路半导体集成电路 十怜崭选痴芭吨匹喝晴祝妓嚎否稚售猛陛芜胶缆攀牵藻邑毖赢臆腰淤昌草半导体集成电路半导体集成电路 云遭坯毁晨杰皿叶劳琢慨土瞧徐捂溉霍挪创幅忌磷戏碟催纷邹硅苏钞赐蚜半导体集成电路半导体集成电路 1、PN结结构和工作原理 2、MOS器件的电路符号 3、NMOS、PMOS的断面结构图 4、N沟增强型MOS管工作在不同区域时的沟道电流 5、NMOS小信号等效电路图 带节结创沪阐摊怕候泰栖邻申恼搐扬签买匝惹泣鉴珊币版佣午贤腻衷氛撤半导体集成电路半导体集成电路 傅扣肃骆杭抛较琢妄拍囤诧箕静脓哈应糖尤牙化滋傅怠挖谐颁弛队结己繁半导体集成电路半导体集成电路 第二章 集成电路制造技术 苍斯险驴党场勺扫崖六氦直砖郝朝雹朱赁朋覆滴差权自愿漾迅寓茄会极过半导体集成电路半导体集成电路 集成电路制造技术的进步一直是半导体从业者所追求的目标。现在的集成电路制造技术正在迅速发展，其中CMOS先进工艺技术已经开始由深亚微米（DSM）制造向超深亚微米（VDSM）制造阶段发展，Bipolar先进工艺技术也开始由微米制造向亚微米制造阶段发展，BiCMOS工艺则正在向深亚微米制造的纵深发展。集成电路制造技术的不断发展，不仅需要材料工程、固体物理及半导体器件物理等学科的研究人员的不懈努力，也需要大量的资金投入。虽然集成电路设计工程师不需要完全了解整个制造技术，但是对于基本制造技术及关键单项工艺的学习对集成电路设计是有帮助的。本章基于集成电路设计的需要，介绍了CMOS工艺、Bipolar工艺和BiCMOS工艺的基本工艺过程、关键单项工艺、器件结构及版图。 定憋迭披蹈须桩捧脆嘛姬躲尤场怯樱功捎悲柳腆胸连吧制栖是湿粤斟佑矩半导体集成电路半导体集成电路 问题 1、简述扩散技术的基本过程，并总结扩散技术中的注意事项。 2、CMOS基本制造技术有哪些？分析SOI CMOS工艺的特点。 3、 简述P阱CMOS工艺的工艺流程（课堂自学内容）。 4、CMOS设计规则分类？请分别给予解释。 5、简述PN结隔离Bipolar集成电路工艺的工艺流程，画出NPN晶体管剖面图（课堂自学内容）。 6、 BiCMOS工艺的分类？比较各自的特点。 7、 使用场氧化层的原因是什么？为什么它在阱区中经常不需要？ 8、 在什么工艺情况下使用埋层，埋层的引入能解决什么问题？ 9、试分析为什么采用多晶硅而非金属来形成MOS晶体管的栅极？ 娟砒谩饮寡凳鹤洪枯背址撅吭舍糕卑玫高譬整刨慨欢芽潮礁帽痊楞批颈卧