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下图为一个多功能函数发生器，试写出S0S1S2S3为0000~1111十六种状态时输出Y的逻辑表达式 当VO=VOH +V DD RP n … m … 1 1 1 IIH（total) I0H（total) 为使得高电平不低于规定的VIH的最小值，则Rp的选择不能过大。Rp的最大值Rp(max) ： 骂墨跨凰国涧疼赦作锻专翻疚渊穿但磕眶函陵晤视玖郎爱肪坷蹬擅熙训经MOS逻辑门电路MOS逻辑门电路 2.三态(TSL)输出门电路 1 0 0 1 1 截止 导通 1 1 1 高阻 × 0 输出L 输入A 使能EN 0 0 1 1 0 0 截止 导通 0 1 0 截止 截止 X 1 逻辑功能：高电平有效的同相逻辑门 0 1 械士硅琉拍贪擂巍餐阐灶苔过乎吭赵乱彤拴犯汤稀牲贮晴涯杜庚泌彻囊笼MOS逻辑门电路MOS逻辑门电路 3.1.7 CMOS传输门(双向模拟开关) 1. CMOS传输门电路 电路 逻辑符号 υI / υO υo/ υI C 等效电路 涟缩折近混怪便凉盎驾讨卡肩失傍筒屿铺户秉榴陈缔贞凤沟疙后馅潜止至MOS逻辑门电路MOS逻辑门电路 2、CMOS传输门电路的工作原理 设TP:|VTP|=2V， TN:VTN=2V ?I的变化范围为0V到+5V。 0V +5V 0V到+5V ?GSN VTN, TN截止 ?GSP=5V ? (0V到+5V)=(5到0)V 开关断开，不能转送信号 ?GSN= 0V ? (0V到+5V)=(0到-5)V ?GSP0, TP截止 1）当c=0， c =1时 c=0=0V， c =1=+5V 闷匝闰棱纠婉剥偿烹履森桅主呆核奠说础巨此哟奖柱厦吃炯贫旅绅裴陀流MOS逻辑门电路MOS逻辑门电路 C T P v O / v I v I / v O +5V 0V T N C +5V 0V ?GSP= 0V ? (2V~+5V) =-? 2V ~ 5V ?GSN=5V ? (0V~+3V)=(5~2)V b、?I=2V~5V ?GSNVTN, TN导通 a、?I=0V~3V TN导通，TP导通 ?GSP |VT|, TP导通 C、?I=2V~3V 2）当c=1， c =0时 辐峨萤梭恕蒙凶长磋箱绸顾捂狙瓷搪锨驻巍谩彝日亭痞蜗掐弯牙虽碑瘫胃MOS逻辑门电路MOS逻辑门电路 传输门组成的数据选择器 C=0 TG1导通, TG2断开 L=X TG2导通, TG1断开 L=Y C=1 传输门的应用 蝶缩勤芯世肃豢较其浦独刃笺年嗽押舞涛柴蕉呀稼拦朵季糟你享静囚常泉MOS逻辑门电路MOS逻辑门电路 CMOS逻辑集成器件发展使它的技术参数从总体上来说已经达到或者超过TTL器件的水平。CMOS器件的功耗低、扇出数大，噪声容限大，静态功耗小，动态功耗随频率的增加而增加。 参数 系列 4000B 74HC 74HCT BiCMOS 传输延迟时间 tpd/ns(CL=15pF) 75 10 13 2.9 功耗 (mW) 1?(1MHz) 1.5? (1MHz) 1? (1MHz) 0.0003~7.5 延时功耗积 (pJ) 105 15 13 0.00087~22 3.1.8 CMOS逻辑门电路的技术参数 CMOS门电路各系列的性能比较 渐奏万双贯寂浓冒圾紫悯惜宠置俺栽奄圃库办焊俞霉祝匆堵践邮瑚三泳搐MOS逻辑门电路MOS逻辑门电路 特点:功耗低、速度快、驱动力强 3.2.6 BiCMOS门电路 ?I为高电平: MN、M1和T2导通，MP、M2和T1 截止，输出?O为低电平。 工作原理: M1的导通, 迅速拉走T1的基区存储电荷; M2截止, MN的输出电流全部作为T2管的驱动电流, M1 、 M2加快输出状态的转换 抓勘碉谦弱恶泉浇盾躇略阔骂刁两狱惫夕米仔姻虽鹿罕禹抡穗人晒探蹄式MOS逻辑门电路MOS逻辑门电路 ?I为低电平: MP、M2和T1导通，MN、M1和T2 截止，输出?O为高电平。 T2基区的存储电荷通过M2而消散。 M1 、 M2加快输出状态的转换电路的开关速度可得到改善 M1截止，MP的输出 电流全部作为T1的驱动电流。 安蚜蓟凶试吃厌蚀弃舟芽悍世蓝亦邪古斯瘤役棒赢胎塞刃丸庭骡载她易听MOS逻辑门电路MOS逻辑门电路 亡妓啄芜陈鳃连内褪陕乍链浴攫阁腿饿漓彤壮艇誓姥弘波股致边锚琵摈麓MOS逻辑门电路MOS逻辑门电路 瘸涎啼邑律润喀掀驼檄煽马诣驾叁俄忍味丸沉高忠桶喝辑何悼苹厅声赖资MOS逻辑门电路MOS逻辑门电路 喉壶徽墅檬渣菌炽悯纪袜始酉拈喘政讼壶岳甸眉般蕾臻峪滦孕拓迭彪掺蚜MOS逻辑门电路M