超低压反渗透膜在工业水处理中的应用.docVIP

　　超低压反渗透膜在工业水处理中的应用 　　半导体材料和器件的制备，需要高质量的高纯水，要求低TOC(5ppb)、低细菌内毒素(0.03EU/ml)，目前电子行业已广泛采用反渗透技术，下面就如何选用更合理的反渗透膜，简述于下： 　　众所周知，反渗透(RO)是一种在压力驱动下，借助于半透膜的选择截流作用将溶液中的溶质与溶剂分开，无论低压复合膜或超低压复合膜，都是以水的透过速率大小、脱盐率高低来衡量膜的好坏，而水的透过速率即水通量的大小与驱动压力成正比，如能达到一定的水通量时，所需的驱动压力越低，则不仅降低能耗，同时也降低泵、压力容器及管材等设备投资。 　　介绍了ESPA超低压膜主要特点。同时还列举了超低压ESPA膜和低压CPA2或NTR-759膜与醋酸纤维CA膜在操作压力、透过水量、脱盐率方面的比较，研究了各种方法和各种onclick=g(反渗透膜);反渗透膜对TOC和细菌内毒素的去除效果比较，并成功的应用在空间材料制备用水、高纯化学试剂生产用水、机车电瓶用水及建材制板用水上，取得了很好的效果。 　　一、TOC、细菌、细菌内毒素、颗粒对大规模集成电路的影响 　　随着电子工业的发展对高纯水提出了越来越高的要求。例如[6]，制作16K位DRAM允许水中TOC(总有机碳)为500ppb、金属离子为1ppb、≥0.2μm的颗粒为100个/毫升;而制作16M位DRAM时，则要求TOC5ppb、金属离子0.2ppb、水中≥0.1μm颗粒数为0.6个/升。 　　1.1TOC，细菌及细菌内毒素对大规模集成电路的影响。 　　不同压力时两种膜的脱硅效果 　　[测试条件]进水溶液：SiO2浓度41ppm，温度：18℃ 　　2.3化学稳定性，以ESPA膜，CPA2或NTR-759膜的耐氯性为例。 　　两种膜的耐氯性能 　　[通水条件]进水压力：1.0MPa;供给液游离氯浓度：100ppm;供给液pH=6 　　[测试条件]进水溶液：0.05%食盐水;进水压力：0.75MPa;pH值：6.5;温度：25℃ 　　由于ESPA膜没有改变复合膜材料的化学成分，因而保持了复合膜的所有优点。其化学稳定性和脱盐率均与低压复合膜相同。 　　三、用一级反渗透RO、双级RO、蒸馏法、紫外法、活性碳吸附法、离子交换法、超声法等除去水中的TOC和细菌内毒素的比较 　　1.1用RO法，蒸馏法，185紫外法，除去TOC和细菌内毒素。 　　用RO法，蒸馏法，185紫外法，除去TOC和细菌内毒素的比较方法 源水 TOC(ppb) 细菌内毒素(EU/ml)* TOC(ppb) 细菌内毒素(EU/ml)* 一级RO(CA膜) 4200 10 120 ≥0.03 一级RO(TFC膜) 4200 0.3 50 0.03~0.03 市售蒸馏水 5000 3 2500 0.25 二次蒸馏水 2500 0.25 500 0.1 三次蒸馏水 500 1 100 0.03 双级RO(TFC膜) 50 ≤0.03 20 0.03 双级RO+185nmUV 30 0.03 5 0.03 　　*EU=EndotoxinUnit(内毒素单位) 　　美国1993年ASTM-E1级水中规定内毒素含量0.03EU/ml，ASTM-E2级水，内毒素要求0.25EU/，在我国高纯水国标中，用双级RO+185nmUV制取高纯水，TOC降至5ppb和细菌内毒素0.03EU/ml完全符合亚微米电路用高纯水要求。 　　1.2几种onclick=g(反渗透膜);反渗透膜对水中细菌内毒素的去除效果比较。 　　几种膜对细菌内毒素的去除效果比较 　　透过膜水样 细菌内毒素含量EU/ml 进水 出水 CA膜 3 0.03 NTR-759膜 3 0.03 CPA2膜 3 0.03 ESPA膜 3 0.03 　　由所示，经低压和超低压复合膜反渗透的水，其细菌内毒素含量，均0.03EU/ml，完全符合超大规模集成电路和医药用水标准的要求。 　　1.3用其它方法去除水中的细菌内毒素。 　　用其它方法去除水中的细菌内毒素 　　方法 细菌内毒素含量(EU/ml) 活性碳吸附 3 离子交换法 0.25~0.5 超声法 0.25 254nm紫外法 0.03~0.25 　　由看出用其它方法去除水中的细菌内毒素均不理想。 　　我们还将低压反渗透和185紫外灯及PVDF管材一起用，除去高纯水中的TOC和细菌内毒素，这样制得的高纯水，能使TOC5ppb和细菌内毒素0.03EU/ml，完全符合兆位电路高纯水的要求。 　　同时低压和超低压反渗透复合膜还能除去水中的THM(三卤化物)。例如NTR-759HR膜，能除去水中的CHCl371%、CHBr390%、CCl499%，CH3CCH398%。 　　四、LF10低压复合膜 　　LF10膜是低压onclick=g(反渗