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电力电子技术必做习题解答 第1章 1. 答： （1）不亮；（2）亮；（3）不亮，出现电压负半周后晶闸管关断。 2. 答： 晶闸管的门极参数IGT、UGT受温度影响，温度升高时，两者会降低，温度升高时，两者会升高，故会引起题中所述现象。 3.答： （1） 故不能维持导通 （2） 而 故不能正常工作 （3） Id=150/1=150AIH IT=Id=150A1.57×100=157A 故能正常工作 4. 答： IGBT由于寄生晶闸管的影响，可能是集电极电流过大（静态擎住效应），也可能是duce/dt过大（动态擎住效应），会产生不可控的擎住效应。实际应用中应使IGBT的漏极电流不超过额定电流，或增加控制极上所接电阻RG的数值，减小关断时的duce/dt，以避免出现擎住现象。 第2章 1.答： （1）交流进线电抗器 限流、限du/dt和di/dt （2）压敏电阻 过压保护 （3）交流侧阻容保护 过压保护 （4）桥臂电感 限du/dt (由元件换流引起）、di/dt （5）快熔 过流保护 （6）过压保护电容 限制关断过电压对元件的损害 （7）抑振电阻 防止L、C振荡，限制电容放电电流 （8）直流侧压敏电阻 直流侧过压保护 （9）过流继电器 过流时，继电器开路，保护主电路 （10）VDF续流二极管 为负载电路提供通路，过压保护 （11）Ld平波电抗器 防止直流电流波动（断流） 2.答： 检测集射极电压Uce作为过流保护原则，在相同的相对测量误差下，工作点的移动最少，结果较准确 3.答： 缓冲电路的功能包括抑制和吸收二个方面。下图为电路的基本结构，串联的LS用于抑制di/dt的过量，并联的CS通过快速二极管VD充电，吸收器件上出现的过电压能量，由于电容电压不会跃变，限制了重加du/dt。当器件开通时CS上的能量经RS泄放。对于工作频率较高、容量较小的装置，为了减少损耗，可将图(a)的RLCD电路简化为图(b)的形式。这种由RCD网络构成的缓冲电路普遍用于GTR、GTO、电力MOSFET及IGBT等电力电子器件的保护。 （a） (b) 第3章 1.答： (1) 220V供电 （2）60V供电 2. 答： （1）无续流二极管 Ud = 0.9U2cosα= 0.9×220×cos60o = 99 V Id = Ud/Rd = 99/4 =24.75 A (2) 有续流二极管 Id = Ud/Rd =37.125 A 3 答：Ud = 1.17U2cosα ＝ 1.17×220×cos45o = 182 V Id = Ud/Rd = 182/10 = 18.2 A IdT = Id/3 = 18.2/3 = 6.1 A 4.答： 5.答： （1） （2） 6.答： 7.答： （1） 整流—电动机 逆变—发电机 （2） Ud E E Ud （3）30°～150° 8.答： （1）Ud = 1.17U2cosα = 1.17×220×cos90o = 0 V (2) Ud = -1.17U2cosβ = 1.17×100×cos60o = -58.5 V ，故不满足逆变条件 Id = 0 第4章 1.答： 控制方式有： 2.答： （1）Cúk变换电路输入电源电流和输出负载电流均连续，脉动小，有利于滤波 （2）Cúk变换电路借助电容传递能量，Boost-Buck变换电路借助电感传递能量，故Cúk变换电路的电容器C中的脉动电流大，要求电容量大。 (3)Cúk变换电路VT导通时要流过电感L1和L2的电流，故功率开关的