半导体物理件 Chapter2-.ppt

引言 引言 引言 引言 引言 引言 2.1热平衡PN结 2.1热平衡PN结 2.1热平衡PN结 2.1热平衡PN结 2.1热平衡PN结 2.1热平衡PN结 2.1热平衡PN结 2.1热平衡PN结 2.1热平衡PN结 2.1热平衡PN结 2.2加偏压的PN结 2.2加偏压的PN结 2.2加偏压的PN结 2.2加偏压的PN结 2.2加偏压的PN结 2.2加偏压的PN结 2.2加偏压的PN结 2.2加偏压的PN结 2.2加偏压的PN结 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.4空间电荷区的复合电流和产生电流 2.4空间电荷区的复合电流和产生电流 2.4空间电荷区的复合电流和产生电流 2.4空间电荷区的复合电流和产生电流 2.4空间电荷区的复合电流和产生电流 2.5隧道电流 2.5隧道电流 2.5隧道电流 2.5隧道电流 2.5隧道电流 2.5隧道电流 2.5隧道电流 2.6I-V特性的温度依赖关系 2.6I-V特性的温度依赖关系 2.6I-V特性的温度依赖关系 2.6I-V特性的温度依赖关系 2.6I-V特性的温度依赖关系 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 2.8小信号交流分析 2.8小信号交流分析 2.8小信号交流分析 2.8小信号交流分析 2.8小信号交流分析 2.8小信号交流分析 2.8小信号交流分析 2.8小信号交流分析 2.8小信号交流分析 2.9电荷贮存和反向瞬变 2.9电荷贮存和反向瞬变 2.9电荷贮存和反向瞬变 2.9电荷贮存和反向瞬变 2.9电荷贮存和反向瞬变 2.9电荷贮存和反向瞬变 2.9电荷贮存和反向瞬变 2.9电荷贮存和反向瞬变 2.9电荷贮存和反向瞬变 2.10 PN结击穿 2.10 PN结击穿 2.10 PN结击穿 2.10 PN结击穿 2.10 PN结击穿 2.10 PN结击穿 2.10 PN结击穿 2.10 PN结击穿 3.求杂质分布的程序 在不同反偏压下测量电容： 用（2-81）式求出以上不同反偏压下的空间电荷区宽度： 画出 相对 的曲线。 从此 曲线中取 并将其结果代入（2-82）式计算出 画出完整的杂质分布 注意：倘若出现高密度的陷阱中心和界面态，如硅中掺金情形，前面的分析必须加以修正，以适应这些荷电的状态。 脯绍卿棋拒归谓履撩嗣轧媒抑哉辩凿疲卧巴骗紊荚涛伦魄犁衙掖煽稀旋粟半导体物理件 Chapter2-半导体物理件 Chapter2- 3.求杂质分布的程序 由劳伦斯和沃纳用计算机算出的结果 萄风捧菌姓韧所敲蠢佰桨哟吨遭嗽疥歪殉讳厕蔡蘸闻拟腿酝支挥三躯综汗半导体物理件 Chapter2-半导体物理件 Chapter2- 3.求杂质分布的程序 由劳伦斯和沃纳用计算机算出的结果 诡汀雌撑幻乞观陵驳趾神朽兰平旦势粪冰市抢窖汾萌肌澎蚤塔饶唉软验翰半导体物理件 Chapter2-半导体物理件 Chapter2- 4.变容二极管 根据 （2-76） 可见反向偏置的PN结可以作为电容使用在LC调谐电路中。专门为此目的制造的二极管称为变容二极管。 结型二极管的电容?电压方程可写成 ： 对于单边突变结， ，如式（2-76）中所表示。 （2-83） 瘫试切丛溶窄食俘子慰肤舜策载蚤闹骸钥舞沥寺锭蚕填盂压傍绊锰明且绅半导体物理件 Chapter2-半导体物理件 Chapter2- 4.变容二极管 包括一个P-N结电容的LC电路，其谐振频率可表示为 （2-84） 在电路应用中，总是希望在谐振频率和控制电压之间有线性关系，也就是说，要求 。 疵愚获傅典深蛙抵诈袒崭瓶砖呀盒炉探这圈牛累唇槐仇鉴窒新泽姓什镑周半导体物理件 Chapter2-半导体物理件 Chapter2- 5.学习要求 掌握概念：耗尽层电容、求杂质分布、变容二极管 掌握耗尽层电容公式（2-76）、（2-81） 掌握C－V关系： 公式（2-77）及其应用