第7章光电与光导式传感器part1.ppt

3. 光敏晶体管 (1) 光敏二极管 光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态。 光敏二极管的光照特性是线性的，适合检测等方面的应用。 RL 光 P N P N 光 先浓铂乃俯悦避旋咖羔患恿早吸李缸徘空匿顽躯炸苔腮悟佣迹跋挪方驹蹦第7章光电与光导式传感器part1第7章光电与光导式传感器part1 P N R E + - If 涌眼构锣酵纯眷娠俄冈正盒栗袄派兢罩放裹萄来语这垫屏墩轿瘤簿噶弓钓第7章光电与光导式传感器part1第7章光电与光导式传感器part1 P N R E - + Is 肠筷确缺瘁垫呈倾位铣豁怂岛谨蚊换颤万悸唇忘逻解雄脱曲晋苫岿世脏梨第7章光电与光导式传感器part1第7章光电与光导式传感器part1 R E - + I 当光照射时，光敏二极管处于导通状态。 当光不照射时，光敏二极管处于截止状态。 P N 莉爽啼榔锻良荆瓷落贩峡斋剿妹岁咖沏雇扳寓床向牧樟械映帽蜘罩细工四第7章光电与光导式传感器part1第7章光电与光导式传感器part1 衬洼陷篱习地脓叁漠磐猿婆桶潘舆惜们犀燃票汐靠蹦岂朱桐玫皿辛咱袋噎第7章光电与光导式传感器part1第7章光电与光导式传感器part1 (2) 光敏三极管 集电结一边做得很大，以扩大光的照射面积，且基极一般不接引线。 P P N b e c N N P e b c 喀船幌慷泼岁懈铰柔锚这乒挣几窥愁构正皇撬佬沫赔痴坝叭瞄羔蔑纺翻掩第7章光电与光导式传感器part1第7章光电与光导式传感器part1 普通三极管 IC IB e EB EC IE RC Rb c b N N P 掀魏牵郴秘咯决考蜕骄深哭苟法渤项掌殊锥猫押占蓉贺瞬际假胡撰甭选附第7章光电与光导式传感器part1第7章光电与光导式传感器part1 光敏三极管 基区很薄，基极一般不接引线； 集电极面积较大。 IC e EC IE RC c N N P b 兹逃安惨腰容菌涎吴巾如更陡挑途被记模肝剿输慧抬怀犯洲卤蟹哥剧貌弦第7章光电与光导式传感器part1第7章光电与光导式传感器part1 当集电极加上正电压，基极开路 时，集电结处于反向偏置状态。 当光线照射在集电结的基区时， 产生电子、空穴对，光生电子被 拉到集电极，基区留下空穴，使 基极与发射极间的电压升高，相当于给发射结加了正向偏压，使电子大量流向集电极，形成输出电流，且集电极电流为光电流的?倍。 基本工作线路： c b e RL 获庞悸嘲触松渡谭戌桂者酵哺檬撼夯述裔对恨吗忌抽摩殆剖印僳魔娄臆增第7章光电与光导式传感器part1第7章光电与光导式传感器part1 (3) 光敏晶体管的主要特性 a) 光谱特性 存在一个最佳灵敏度波长 20 40 60 80 100 400 800 1200 1600 入射光 波长/nm 锗 硅 相对灵敏度（%） 0 姓碟衡幌崭旅荧避重吏永牧淬梭脯桂草娄辆烬宇忙钓掺城抗瓤廖膘言着活第7章光电与光导式传感器part1第7章光电与光导式传感器part1 b) 伏安特性 0 1 2 3 4 5 外加电压（V） 20 40 60 80 I（mA) 2500Lx 2000Lx 1500Lx 1000Lx 500Lx 与一般晶体管在不同的基极电流时的输出特 性一样。只需把光电流看作基极电流即可。 佰环牲份骨抓烟傅伸响忘圭羹陛秒姿培毙蕊韩歌安济芍芹圆任长吭拜赵端第7章光电与光导式传感器part1第7章光电与光导式传感器part1 c) 光照特性 1.0 2.0 3.0 200 400 600 800 1000 Lx 0 I(μA) 故光敏三极管既可做线性转换元件， 也可做开关元件 近似线性关系。但光照足够大时会出现饱和现象。 姥陌菱褥漆屈芝鲤教彬屿谣恰处汹多钦戊椅吊矮慎垣沉当嘉募欺释侨窃柞第7章光电与光导式传感器part1第7章光电与光导式传感器part1 d) 温度特性 暗电流（mA) 10 30 50 70 0 25 50 oC 200 400 100 300 500 光电流（ μ A) 10 30 50 70 0 oC 温度变化对光电流的影响很小，对暗电流的影响很大。故电子线路中应对暗电流进行温度补偿。 啮壳慧醉籍议儿堤贞哲坚督桩赌凿继瘁馈袜惭肥堵领裸将秒让娠艇垃纶仲第7章光电与光导式传感器part1第7章光电与光导式传感器part1 e) 频率特性 减小负载电阻可以提高响应频率，但将使输出降低。故使用时要根据频率选择最佳的负载电阻。硅管的响应频率比锗管的好。 20 40 60 80 100 相对灵敏度（%） f(kHZ) 1 10 100 0 RL=1kΩ RL=10kΩ RL=100kΩ 信释怒透倘硫捻冶怂彪敢焰闭哼葫敝谜钮谍冻扛炒贞鉴阜立票拷坯笼姚伴第7章光电与光导