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* (4) (5) (6) * * 以平面工艺为基础的半导体集成电路的制造工艺 1.由外延、氧化、光刻、扩散和薄膜淀积（或叫蒸铝）五种基本技术组成平面工艺。 2.采用PN结隔离技术和介质隔离技术。 3.NPN型晶体三极管是最基本的器件；PNP型晶体三极管有纵向和横向两种结构，由于发射区不是高掺杂的，因而，它们的β值极低，约在2～20之间。横向PNP型管的β值更低，典型值为3～5。 * 4.电阻通常有扩散电阻和金属膜电阻两类。 扩散电阻就是杂质半导体的体电阻，由标准N+扩散流程形成的N+区电阻的阻值一般为20～100Ω，由标准P扩散流程形成的P区电阻的阻值一般为100～20KΩ，阻值的误差较大，约为±20%。 利用标准的薄膜沉积流程在二氧化硅表面层上淀积一层金属膜作为电阻。 * 5.一般电容都是PN结（特别是发射结）在反向偏置时的结电容，也可用MOS电容，这是以SiO2为介质的电容器。一般电容量不宜超过100pF。 * 对单级放大器，当在晶体三极管的发射结上加上恒压源及正弦信号电压时，由于伏安特性的非线性，将使集电极电流ic中除了直流和基波分量之外，还包含各次谐波分量，若要求二次谐波振幅为基波振幅的2.5%，则允许信号电压的振幅为： Usm≤2.6mV T=300K时，kT/q=0.026V * 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * * 4―3―5差动放大器的失调及温漂 一、差动放大器的失调 当输入信号为零时，由于两晶体管参数和电阻值不可能做到完全对称，因而使得输出不为零。这种现象，称为差动放大器的失调。 输入失调电压——UIO 输入失调电流—— IIO。 补偿方法：人为的在输入端加补偿电压或电流， * R C ＋Δ R C R C U i V 1 V 2 － ＋ U o － U EE I U CC I B2 ＋ － － ＋ I IO 2 I IO 2 U IO I B1 图4―19差动电路的失调电压和失调电流 补偿电压 补偿电流 RS RS * （1）失调电压UIO主要由RC和发射结的失配引起，并与温度成正比。 （2）电阻的失配约为1%，发射结反向饱和电流的失配约为5%，即 ， 影响失调电压的因素 室温下，按典型值计算得的UIO约等于1.5mV——UIO的典型值 * 影响失调电流的因素 电阻的失配约为1%，β失配约为10% 失调电流IIO主要由β的失配大小决定，约为0.1IB * R C R C V 1 V 2 － ＋ U o － U EE I U CC R W R S R S R C V 1 V 2 － ＋ U o － U EE I U CC R W R S R S R C 图4―20差动放大器的调零电路 (a)射极调零 (b)集电极调零 * 二、失调的温度漂移 调零电路可在某一特定温度下，使输出为0。但失调会随着温度的改变而发生变化，所以仍存在零点的温度漂移现象。 调零电路可以克服失调，但不能克服温漂。 * UIO的温漂与该温度下的UIO的大小成正比。 IIO的温漂主要取决于β的温度系数和IIO本身。 * 4―4 集成运算放大器的输出级电路 U CC U o V 1 V 2 R L － U CC － ＋ ＋ U i － 图4―21 互补对称型射极 * 图4―22 交越失真产生的原因及波形 硅管导通电压，约为0.5V,在0.5～-0.5V之间，两管的输出电流近似为零。 * R C V D 1 V D 2 V 1 V 2 V 3 U CC U i ＋ － R L － U EE R C V 1 V 2 V 3 U CC U i ＋ － A I 1 I 2 R 1 R 2 B R L － U EE V 4 图4―23克服交越失真的互补电路 (a)二极管偏置方式 (b)模拟电压源偏置方式 * +UCC –UEE uo u– u+ 集成运放的电路符号 输入级 中间级 输出级 同相 输入端 输出端 反相 输入端 “+”表示同相输入端 “-”表示反相输入端 * 4―5 集成运放电路举例 4―5―1集成运算放大器F007 * V 8 V 9 2 V 1 V 2 3 V 3 V 4 V 7 Δ I C3 Δ I C4 Δ I C5 V 5 V 6 Δ I C6 1 R 1 1k R 3 50k R 2 1k 5 R