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从内存条芯片编号看内存条的大小 (2009-11-22 08:12:39) 转载▼ 标签： 刷新速度 tsop封装 字段 ddr266 台湾 it SDRAM 内存芯片的新编号 　 HY XX X XX XX X X XX X X X - XX X A B C D E F G H I J K ? L M A字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。B字段表示产品类型。57代表SDRAM内存。C字段表示工作电压。V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为3.3V；Y代表VDD电压为3.0V、VDDQ电压为3.0v；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V/D字段表示密度与刷新速度。16代表16Mbit密度、2K刷新速度；32代表32Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、4K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；2A代表128Mbit密度(TCSR)、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度。E字段表示内存结构。4代表x4；8代表x8；16代表x16 ;32代表x32。F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank；2代表4Bank。G字段表示电气接口。0代表LVTTL；1代表SSTL_3。H字段表示内存芯片的修正版本。空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。也有一些特殊的编号规则，如：编号为HY57V64420HFT是第7版；编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版；编号为HY57V28420AT是第3版；编号为HY57V56420HDT是第5版。I字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表代功耗；S代表超代功耗。J字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装；K代表Stack封装(Type1)；J代表Stack封装(Type2)。K字段表示内存芯片的封装材料。空白代表正常；P代表Pb free；H代表Halogen free；R代表Pb Halogen free。L字段表示内存芯片的速度标识。5代表200MHz；55代表183MHz；6代表166MHz；7代表143MHz；K代表PC133(CL=2)；H代表PC133(CL=3)；8代表125MHz；P代表PC133(CL=2)；S代表PC100(CL=3)；10代表100MHz。M字段表示工作温度类型(此字段也可空白)。I代表工业温度；E代表扩大温度。 DDR SDRAM 内存芯片的新编号 　 HY XX X XX XX X X X X X X - XX X A B C D E F G H I J K ? L M A字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。B字段表示产品类型。5D代表DDR SDRAM内存；5P代表DDR-II内存。C字段表示工作电压。V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为2.5V；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为 1.8V、VDDQ电压为1.8V。D字段表示密度与刷新速度。64代表64Mbit密度、4K刷新速度；66代表64Mbit密度、2K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度；1G代表1Gbit密度、8K刷新速度。E字段表示内存结构。4代表x4；8代表x8；16代表x16；32代表x32。F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank；2代表4Bank；3代表8Bank。G字段表示电气接口。1代表SSTL_3；2代表SSTL_2；3代表SSTL_18。H字段表示内存芯片的修正版本。空白代表第1版；A代表第2版；B代表第3版；C代表第4版。I字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表代功耗。J字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装；Q代表LQFP封装；F代表FBGA封装；S代表Stack封装(Hynix)；K代表Stack封装(MT)；J代表Stack封装(其它)。K字段表示内存芯片的封装村料。空白代表正常；P代表Pb free；H代表Halogen free；R代表Pb Halogen free。L字段表示内存芯片的速度标识。26代表375MHz；28代表350MHz；3代表333MHz；33代表300MHz；45代表222MHz；5代表200MHz；55代表