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模拟电子技术 总复习 1、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 （ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） （5）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（ ） 解： （1）√ （2）× （3）√ （4）× （5） √ 2、选择正确答案填入空内。 （1）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 变小 B. 基本不变 C. 变大 （2）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当NPN型晶体管工作在放大区时，发射极电压uBE uon。 A、 B、 C、 = D、≤ 解：（1） C （2）C （3）A 第一章：自测题一、二 习题1.1、1.12 3、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 4、下图中三极管均为硅管，RB和RC的电阻值选取合适，从偏置情况分析判断下图中各三极管的工作状态。 （a） （b） （c） 1、在括号内用“?”或“×”表明下列说法是否正确。 （1）电路只有既放大电流又放大电压，才称其具有放大作用；（ ） （2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ ） （3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（ ） （4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ ） （5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（ ） （6）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（ ） 解：（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）× 2、共发射极放大电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。 3、试分析图示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 4、画出图示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。 解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。各电路的交流通路如解图P2.2所示。 5.在图示电路中，已知晶体管β，rbe，RB，RC=RL，VCC。（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。（2）当考虑信号源内阻为RS时，Aus的数值。 6. 电路如图所示，晶体管的?＝100，=100Ω。 （1）求电路的Q点、Au、Ri和Ro； （2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？ 7、 电路如图P2.12所示，晶体管的?＝80，rbe=1kΩ。 （1）求出Q点； （2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的和Ri和 Ro。； 解：（1）求解Q点： （2）求解输入电阻和电压放大倍数： RL＝∞时 RL＝3kΩ时 （3）求解输出电阻： 第二章 自测题：一 习题：2.5、2.9、2.11、2.13 1、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。 （1）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是不易制作大容量电容（ ）。 （2）选用差分放大电路的原因是克服温漂（ ）。 （3）放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。（ ） （4）互补输出级采用共集形式是为了使电压放大倍数大。（ ） （5）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为β2 。（ ） 解：（1） √ （2） √ （3） √ （4）× （5） √ 第三章 自测题：二、 习题：3.3 第四章 集成运算放大电路 知识点 1、集成运算放大器的组成特点 2、主要指标参数的意义 3、理想集成运算放大器的特点 1、选择合适答案填入空内。 （1）共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路 。 A、放大差模抑制共模能力