刘忠立科技网材料.docVIP

刘忠立， 1940年生，武汉市人，1964年毕业于清华大学无线电电子学系半导体材料及器件专业。历任中国科学院半导体研究所微电子研究及发展中心主任、研究员、博士生导师、博士后合作导师、所学术委员会副主任、学位委员会委员、国家传感技术重点实验室副主任，创新重大项目“特种半导体器件及电路”负责人等。现任中国科学院微电子研究所特聘研究员，传感技术国家重点实验室学术委员会委员、北京市传感技术实验室学术委员会委员、中国电子学会核辐射电磁脉冲专委会委员、中国国际工程咨询公司项目评估专家等职，微电子学杂志编委会委员，科学出版社“半导体科学与技术丛书” 编委会委员。 已在国内外重要刊物上发表论文10余篇，撰写专著4本，译著2本，拥有国家发明专利8项，指导已毕业的博士生12名，博士后1名，指导已毕业的硕士生12名。 工作经历： 1964年毕业于清华大学半导材料及器件专业。 1964-2010年在中科院半导体研究所工作，2011年起被中科院微电子研究所 聘为教授继续工作。 1980-1982年作为访问学者在联邦德国多特蒙德大学从事新CMOS器件研究。 1990-1991年在联邦德国HMI研究任客座教授所事MOS器件辐射加固物理研究。 学术兼职： 1、传感技术国家重点实验室学术委员会。 2、北京市传感技术国家重点实验室学术委员会委员。 3、中国电子学会核辐射电磁脉冲专委会专家委员。 4、中科院军工项目监理部监理。 5、“微电子学 ”杂志编委会委员。 6、科学出版社半导体技术书籍编委会委员。 7、中电集团SOICMOS技术研发中心专家委员会专家。 研究方向： 主要从事从事半导体器件、电路、微传感器的设计、制造及辐射加固研究，近年来重点研究抗辐射SOICMOS SRAM、抗辐射SOICMOS FPGA及宽带隙半导体SiC 功率器件。 承担的科研项目情况： 长期从事辐射加固集成电路、微传感器及半导体功率器件研究，是我国最早研制成功MOSFET及JFET器件的主要研究人员之一。20世纪60年代后期至70年代中期，在高质量SiO2 生长、检测以及MOS器件稳定性和可靠性方面，做出了很多有意义的开拓性研究成果，1974年负责研制成功CMOS指针式电子手表电路，荣获北京市科技二等奖。1980－1982年，作为访问学者在德国多特蒙德大学电子系从事新CMOS器件研究，首创性地提出并负责研制成功离子注入氮形成隐埋Si3N4的CMOS/SOI器件，得到国际同行的认可。1990-1991年，在德国HMI核研究所任客座教授从事MOS器件辐射物理研究，取得有意义的成果。1982年-1989年，负责研制成功“抗辐射CMOS/SOS集成电路”及“长寿命卫星抗辐射集成电路”，电路的抗辐射指标达到国际上相应电路的最好水平，分别获1987年及1991年中科院科技进步二等奖；1992年获国防科工委光华基金二等奖；1993年获国家政府特殊津贴及中科院优秀教师称号； 1995负责研制成功重点工程CMOS/SOS抗辐射CMOS/SOS集成电路，获中科院科技进步三等奖。“八五” 、“九五”及“十五”期间，负责多项国家重大研究课题，均已通过验收，其中同中科院微电子所合作完成的”64K抗辐射CMOS/SOI SRAM”院重点创新项目，同中电集团58所合作完成的十五预研项目”128K抗辐射CMOS/SOI SRAM”,开拓了我国抗辐射CMOS/SOI辐射加固集成电路的研究领域。此外，“九五”至“十五”期间还负责研制成功高反压SiC二极管、SiC肖特基二极管、SiC MOS管等国内一流的研究成果，十一五责研制成功5万门抗辐射CMOS/SOI FPGA电路已通过验收，辐射指标达国际先进水平。 科研成果： 1、1974年负责研制成功我国第一个CMOS指针式电子手表电路，获北京市科技二等奖。 2、1980年提出并研制成功的离子注入氮形成隐埋的Si3N4层不用处延硅的CMOS/SOI器件是国际上开创性的工作。 3、负责的“抗辐射CMOS/SOS集成电路”及“长寿命卫星用抗辐射集成电路”研究项目分别获1987年及1991年中科院科技进步二等奖。 4、负责的国防重点工程抗辐射加固CMOS/SOS集成电路1995年获中科院科技进步三等奖。 发明专利： 1、集成电路的保护结构， 刘忠立，刘荣环， 和致经， 中国科学院半导体研究所， 1990-01-31。 2、一种功率MOSFET驱动电路， 高峰， 李春寄，刘忠立，于芳 ，中国科学院半导体研究所， 2007-10-17。 3、一种幅度调制隔离反馈控制电路，高峰， 李春寄， 刘忠立，于芳，中国科学院半导体研究所 ，2007-10-17。 4 、一种可重构的乘法器， 余洪敏， 陈陵都， 刘忠立，中国科学院半导体研究所，