低噪声前置放大器的设计..doc

长江大学 毕业设计开题报告题 目 名 称 :噪声前置放大器的设院 （系） : 物理学院 专 业 班 级 : 应用物理1 学 生 姓 名 : 指 导 教 师 : 李林 辅 导 教 师 : 李林 开题报告日期: 低噪声前置放大器的设计 学 生：代冰玲 物理光电工程学院 指导老师：李林 物理光电工程学院 一、题目来源 生产实际 二、研究的目的和意义 前置放大器一般处于接收机的前端，主要用于对微弱信号的放大，如雷达天线从空中接受的微弱电磁信号，传感器从生物组织上获取的微弱生物电信号，在放大信号的同时抑制噪声的干扰，得到最大信噪比的放大信号。如果在接受系统的前端连接高性能的低噪声放大器，在低噪声放大器的增益满足要求的情况下，就能够抑制后级电路的噪声，则整个系统的噪声取决于放大器的噪声。所以前置放大器的设计对接收机是至关重要的，它的好坏将直接影响接收机的灵敏度。在实际应用中，特别是在工业测量领域。由于经常工作于比较恶劣的电磁干扰环境中。因此要求放大器必须具有噪声小，信噪比高的特点本文通过设计的不同的低噪声前置放大器进行对比，分析，总结。旨在设计一款和合理的前置放大器并且为放大器的设计提供基本的思路。本课题对低噪声前置放大器进行了研究，为电路的设计提供案例和方法，具有较高的理论和实际意义。 三、阅读的主要参考文献及资料名称 [1]康华光电子技术基础模拟部分[M].北京高等教育出版社2006,第五版. [2]李永平董欣主编蒋宏宇编著.Pspice电路设计实用教程[M].北京国防工业出版社2004,第一版385～398 [3]郭玉,鲁永康,陈波.分立元件设计的低噪声前置放大器实用电路[J].电子器件2005-12,28(4). [4]千奕,苏弘,李小刚,李勇董成富彭宇李素琴马晓莉.一种快前置放大电路的设计[J].核电子学与探测技术2006,20（26）842～844 [5]王海洋张重继.低频低噪声高增益放大器的设计与研究[J].白城师范学院学2005,19(3):1～3 [6]李洹.几种低噪声前置放大电路及应用[J].电路与系1993,1:19～21[7]江月松光电技术与实验[M]北京北京理工大学出版社2000:289-290. [8]张永军.超低噪声前置放大器设计中的几个问题[J].石油仪器1997,11(3):21～22 [9]HenryW.Ott著.电子系统中噪声抑制与衰减技术[J].第2版.王培清李迪译北京电子工业出版社2003:183～184[10]席德勋.现代电子技术[M].北京高等教育出版社1999,第一版28～29[11]张义芳冯健华.高频电子线路[M].哈尔滨哈尔滨工业大学出版社2002,第二版23～24 75～79[12]王为东傅佑麟高频电子线路[M]北京电子工业出版社2004,第一版7～821～31[13] A.D.埃文斯场效应晶体管[M]北京人民邮电出版社1988,第一版[14]郑宏军黎昕杨少卿王立军几种典型运算放大放大器的应用技术[M]电子技术应用，19998):56～58 [15]蔡锦福运算放大器原理与运用[M].北京科学出版社2005,第一版22～70[16]郭培源付扬光电检测技术与应用[M]北京北京航空航天大学出版社2005,第一版94～106[17]汪建民PSpice电路设计与应用[M]北京:国防工业出版社2007,第一版[18]Behzad Razavi.模拟CMO集成电路设计[M]西安西安交通大学出版社2003. [19]尹辉.基于场效应管的低噪声前置放大器的研究和设计[J] .石油仪器,2009. 四、国内外研究现状和发展趋势 低噪声宽频带噪声放大器随着现在通讯频带总体上移，射频放大器将会是模拟的主流。由系统天线馈入的无线信号，在处理之前必须进行放大。低噪声放大器就是其中非常重要的部件。随着光刻技术和器件工艺水平的不断提高，近十年来，硅工艺晶体管的工作频率已经能够达到数十GHz以上。另外，随着工艺水平的大幅提升，R低噪声放大器在采用双极晶体管制作的基础上，还衍生了一种新形式，即用MOSFET制作低噪声放大器。以美国Sirenza微波器件公司的产品为例。其LNA产品包含10余个产品系列，各个产品系列采用不同的半导体工艺制作(SiGe、InGaP、GaAs、pHEMT等工艺)和不同的晶体管形式(BJT、HBT或FET)，但产品水平大致相当。而LSI公司日前推出PA8800前置放大器采用LSI第二代硅锗(Si-Ge)工艺制造成，不仅可提供3.3Gbps的业界最高运行速度，而且其功耗比面