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第九讲 半导体工艺模拟和器件仿真 主讲人：马 奎 2014-07-14 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ASIC芯片完整设计流程 工艺设计 工艺模拟 器件设计 器件模拟 设计要求 行为设计 逻辑设计 制版流片 物理设计 系统设计 电路设计 行为模拟 逻辑模拟 版图验证 系统模拟 电路模拟 前端设计 后端设计 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 目 录 半导体工艺 半导体器件测试 为什么要借助CAD软件进行工艺模拟和器件仿真 TCAD简介 Silvaco平台简介 Deckbuild简介 Silvaco文件类型及命令格式 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 半导体工艺 薄膜生长工艺 热氧化工艺 淀积工艺 光刻和刻蚀工艺 掺杂工艺 热扩散 离子注入 减薄及背面金属化 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 微电子芯片制造现场 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 微电子工艺线的空气处理系统结构图 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 半导体工艺_Bipolar工艺流程 埋层氧化 埋层光刻 磷穿透光刻 N型硅外延 下隔离扩散 磷穿透扩散 上隔离光刻 上隔离扩散 低硼区光刻 低硼扩散 埋层扩散 下隔离光刻 浓硼区光刻 浓硼扩散 引线孔光刻 铝电极制备 背面减薄 背面金属化 P型衬底 芯片钝化 基区光刻 基区扩散 发射区扩散 发射区光刻 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 半导体工艺_CMOS工艺流程 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 半导体工艺_BCD工艺流程 N+衬底准备 长挡避氧化层 P_well套刻 P_well退火 P_well注入 场氧化 Gate_oixde光刻 高压MOS栅氧 Active光刻/腐蚀 多晶氧化 低压MOS栅氧 淀积Poly Poly光刻/刻蚀 P_body退火 ZP套刻 P_body注入 P_body套刻 NSD注入 NSD套刻 ZP退火 ZP注入 SiO2增密 淀积SiO2 PSD注入 PSD套刻 淀积金属 Contact光刻 表面钝化 金属光刻/腐蚀 背面金属化 衬底减薄 TOPSIDE光刻 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 半导体工艺_小结 工艺过程较复杂； 实际工艺中可视性不强； 每一步工艺存在偏差都会导致“全盘皆输”； 各工艺步骤都会耗费昂贵的原材料； 基于实验开发新工艺需要较长的周期； 工艺设备(尤其是光刻设备)成本较高。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-201