SST25VF080B中文手册.docx

? 8兆位的SPI串行闪存A Microchip Technology CompanySST25VF080BSST公司的25系列串行闪存系列具有四线SPI兼容跨面对这允许一个低引脚数封装占用的电路板空间并最终降低总系统成本.该SST25VF080B设备加强与改进工作频率从而降低功耗化. SST25VF080B SPI串行闪存采用SST公司生产的专有的,高性能CMOS SuperFlash技术.分裂闸电池设计和厚氧化物隧道喷油器达到更好的可靠性和马努 -与其他方法相比facturability产品特点：?单电压读写操作– 2.7-3.6V?自动地址递增（AAI）编程- 降低整个芯片的编程时间超过字节亲克操作?串行接口架构- 兼容SPI：模式0和模式3写操作结束的?检测- 软件轮询状态寄存器中的BUSY位- SO引脚在AAI模式上忙状态读出?高速时钟频率- 50/66号MHz的条件（见表15）- (SST25VF080B-50-xx-xxxx)- 80 MHz的- (SST25VF080B-80-xx-xxxx)?保持引脚（HOLD＃）- 挂起一个串行序列的记忆没有取消选择该设备?卓越的可靠性- 耐力：100,000周期（典型值）- 大于100年数据保存期?写保护（WP＃）- 启用/禁用状态的锁断功能注册?低功耗：- 有效的读电流：10 mA（典型值）- 待机电流：5μA（典型值）?软件写保护- 通过写块保护位的保护状态注册?灵活的擦除功能- 统一的4 K字节部门- 统一32 K字节块重叠- 统一64 K字节块重叠?温度范围- 商业：0°C至+70°C- 工业级：-40°C至+85°C?快速擦除和字节编程：- 芯片擦除时间：35 ms（典型值）- Sector-/Block-Erase时间：18毫秒（典型值）- 字节编程时间：7μs（典型值）?可用的软件包- 8引脚SOIC（200密耳）- 8引脚SOIC（150??密耳）- 8触点WSON（6毫米×5毫米）- 8引脚PDIP（300密耳）产品描述SST公司的25系列串行闪存系列具有四线SPI兼容接口,允许低引脚数封装占用的电路板空间,并最终降低总系统成本.该SST25VF080B设备加强与改进工作频率和更低的功耗,化. SST25VF080B SPI串行闪存采用SST专有的,高性生产曼斯CMOS SuperFlash技术.分裂门电池设计和厚氧化物隧道注射器实现更高的可靠性和可制造性与替代方法.该SST25VF080B器件显著提高性能和可靠性,同时降低功耗消费.该设备写（编程或擦除）与2.7-3.6V的单电源供电SST25VF080B.所消耗的总能量是所施加的电压,电流和应用的时间的函数.因为对于任何给定的电压范围,SuperFlash技术使用较少的编程电流和有一个较短的擦除时间,在任何擦除或编程操作消耗的总能量小于其他闪存技术.该SST25VF080B器件采用8引脚SOIC提供（200密耳）,8引脚SOIC（150??密耳）,8 - 接触WSON（6毫米×5毫米）,和8引脚PDIP（300密耳）封装.参见图2引脚分配存储器结构该SST25VF080B超快闪存储器阵列的统一4 K字节可擦除扇区32K字节覆盖块和64 K字节覆盖可擦除块.设备操作该SST25VF080B通过SPI（串行外设接口）总线兼容的协议来访问.SPI总线包括四个控制线;芯片使能（CE＃）用于选择该设备,数据通过串行数据输入（SI）,串行数据输出（SO）和串行时钟（SCK）进行访问.该SST25VF080B支持模式0（0,0）和模式3（1,1）SPI总线操作.所不同的在两个模式之间,如图3所示,是在SCK信号的状态时,该总线主机在待机模式并没有数据正在传输. SCK信号是低模式0和SCK信号为高电平模式3.对于这两种模式,串行数据输入（SI）进行采样,在SCK时钟信号和串行数据输出的上升沿（SO）后驱动在SCK时钟信号的下降沿.保持操作在按住＃引脚用于暂停串行序列正在进行与SPI闪存没有复位,婷定时序列.要启动按住＃模式,CE＃必须在低电平状态.在HOLD＃模式时,SCK低电平状态恰逢HOLD＃信号的下降沿开始.该HOLD模式当HOLD＃信号的上升沿与SCK低电平状态恰逢结束.如果HOLD＃信号的下降沿不与SCK低电平状态,则设备一致进入保持模式当SCK未来达到低电平状态.类似地,如果在上升沿HOLD＃信号不与SCK低电平状态保持一致,然后在保持模式器件退出当SCK未来达到低电平状态.参见图4为保持状态的波形.一旦设备进入保持模式,因此将在高阻抗状态,而SI和SCK可以VIL或VIH.如果CE＃是在一个保持状态驱动的主动高,它重置设备的内部逻辑.只要HOLD＃信号为低,内存仍然在保持状态.要恢复与设备通信,按住＃