dell d600系列上电原理(很详细)课件.pptVIP

第四章 Notebook电源 一基本知识 笔记本的高度集成化对电源输出电压和功率的稳定性要求越来越高.PWM(pulse wide model)电源无疑是各个厂商的首选. 以下将从基本功率MOSFET的工作原理,NOTEBOOK的上电时序及结合分析实际的电源电路的原理等方面入手阐述Notebook的上电过程． 一基本知识 MOSFET 所谓MOSFET指的是金属－氧化－半导体（ (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）组成．其结构就如同字面上的意义是由金属，氧化层及半导体构成．包括NMOS和 PMOS．若將这二种MOS合在一起使用则称为互补式金属半导体，即MOSFET CMOS（Complementary MOS）。 CMOS的优点为操作比较省电，因此一般电路布局设计就是以CMOS为基本单元來设计。 一基本知识 PMOS简介 PMOS，指的是利用空穴來传导电性信号的金氧半导体。PMOS的电路符号如下图，而其结构则如右图所示，是由正型掺杂形成的漏极(drain)及源极(source)，与闸极(gate)及闸极下面的氧化层所构成。 　 一基本知识 PMOS的工作原理 当在闸极(gate)施以负偏压时，就会在氧化层下方薄区内感应出许多电洞，当在源极(source)施加一个偏压之后，聚集的电洞就可经由源极(source)与漏极(drain)之间的通道导通。 一基本知识 NMOS的简介 NMOS，指的是利用电子来传导电性信号的金氧半晶体管。NMOS的电路符号如下图，而其结构图如左图所示，是由负型掺杂形成的漏极与源极，与在氧化层上的闸极所构成。 一基本知识 NMOS的工作原理 当在闸极施以正偏压时，就会在氧化层下方薄区内感应出许多电子。当在漏极施加一个偏压之后，聚集的电子就可经由源极与漏极之间的电子信道导通。 以下将详细介绍NMOS的工作特性． 一基本知识 CMOS的简介 CMOS的电路符号如右下图，组件横截面图则如右上图所示。若将PMOS及NMOS的闸极相连，且将PMOS及NMOS的汲极相连，即为一个基本的反向器(inverter，左下图)。 一基本知识 CMOS 的工作原理(1) 当输入端(Vin)输入为高电压(1)时，NMOS导通，而PMOS不导通，所以输出端(Vout)为低电压(0)。 二JMX上电时序 通过上面的介绍我们对MOSFET的导电特性有了一个了解．在Notebook上的电源部分都是通分应用其特性通过一些控制电路来实现DC/DC的转换为Notebook提供所需工作电压. 下面将以JMX为例简单介绍Notebook的上电时序,让大家建立起时序的概念,从而在维修中有一些指导意义. 二. JMX上电时序 二. JMX上电时序 接上页: 二. JMX上电时序 Power connector: 二. JMX上电时序 ACAV_IN: 二. JMX上电时序 PM: 二. JMX上电时序 RUN_ON: 二. JMX上电时序 Vtt,Vcc1_2_MCH: 二. JMX上电时序 二. JMX上电时序 三SC1476原理图 SC1476原理图: 三SC1476原理图 三SC1476原理图 小结: 以上对SC1476的工作方式和其外围元件的功用有了一些分析,其实其他电源控制器(MAX1632,SC1486等)都有异曲同工之妙.大家可以参照以上分析在工作中自己分析其它的电源控制器的工作特性,找出规律,为自己的工作服务. 以下附上SC1486各PIN的功能供大家参考. SC1486: PIN功能: * N沟道增强型MOSFET的结构 取一块P型半导体作为衬底，用B表示。 用氧化工艺生成一层SiO2 薄膜绝缘层。 然后用光刻工艺腐蚀出两个孔。 扩散两个高掺杂的N型区。从而形成两个PN结。（绿色部分） 从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。 在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。 N沟道增强型MOSFET的符号如左图所示。左面的一个衬底在内部与源极相连，右面的一个没有连接，使用时需要在外部连接。 N沟道增强型MOSFET的工作原理 对N沟道增强型MOS场效应三极管的工作原理，分两个方面进行讨论，一是栅源电压UGS对沟道会产生影响，二是漏源电压UDS也会对沟道产生影响，从而对输出电流，即漏极电流ID产生影响。 1．栅源电压UGS的控制作用 先令漏源电压UDS=0，加入栅源电压UGS以后并不断增加。 UGS带给栅极正电荷，会将正对SiO2层的表面