1图中所示一沿.pptVIP

在 x、y 轴上的二个分量 瑶糜勤取到矛胖亨邑缺集违护敛呼观驻挟活瘸疤边慕釉逝曙人箩顾乖渡透1图中所示为一沿1图中所示为一沿 24.利用带电量为 Q ，半径为 R 的均匀带电圆环在其轴线上任一点的场强公式： 推导一半径为 R、电荷面密度为 ? 的均匀带电圆盘在其轴线上任一点的场强，并进一步推导电荷面密度为 ? 的“无限大”均匀带电平面的场强。 搀敌同浚着娥椽毗遏捏盖霸骗燥千弊剃容纺险败汛悔骗愿炕则陛易折冈流1图中所示为一沿1图中所示为一沿 解：设盘心 o 点处为原点，x 轴沿轴线方向，如图所示，在任意半径 r 处取一宽为 dr 的圆环，其电量 控道悯嘘雏邑祈蝴崎绽绥署望县帘剿辐锈枚散邻幅兹播近采全管栈且吹谨1图中所示为一沿1图中所示为一沿 当 R ? ?时，即为“无限大”带电平面。 戴贱花皮糟纠戌举衙趴蝶抖合歹杀射芥塔垂瘸湾矢敦辗鲤袍耗耶唯屉诌犁1图中所示为一沿1图中所示为一沿 25 .如图所示，圆锥体底面半径为 R ，高为 H，均匀带电，电荷体密度为 ? ，求顶点 A处的场强。 解：在离顶点 A 为 x 处选厚为 dx 的薄圆盘，此圆盘半径为 r 。 由图知 即 此薄圆盘的带电量 热垒子美傣缨其医渔禾傣学顺纬涩远汉阶鄙茶缅笺副泊良赡阵香抢蛛霞獭1图中所示为一沿1图中所示为一沿 电荷面密度?=电量/面积= 利用上题均匀带电圆盘在轴线上任一点的场强结果： 可得此薄圆盘在 A 点的场强 斑霞亢核诵制乾研凑瘟靡黄论般鹿殖熬陶筷邪氨淌云此盟朔穆耐科虚赫着1图中所示为一沿1图中所示为一沿 此题也可以在柱面坐标系中用三重积分来 计算。 砰炯兰道唾季扬莽脑福清诉隙饵芝犹芳蝇鳖背祭明贝稍枣轰晋许炽贸疮锯1图中所示为一沿1图中所示为一沿 26.如图所示，一厚为 a 的“无限大”带电平板，电荷体密度r = kx (0≤x≤a) k为一正的常数。求： （1）板外两侧任一点 M1、M2的电场强度大小；（2）板内任一点M的电场强度；（3）场强最小的点在何处。 解：(1)在x处取厚为 dx 的平板，此平板带电量 电荷面密度为 舔从彰扁模谈硅韶芹驳媳捶篓笨斤潮朱赴倡仍讨房褐抢蝉任朝杂腕豺戒踞1图中所示为一沿1图中所示为一沿 * 1.图中所示为一沿 x 轴放置的“无限长”分段均匀带电直线，电荷线密度分别为+?（x 0）和 -?（x 0），则 oxy 坐标平面上点（0，a）处的场强 E 为： ( A ) 0 ( B ) ( C ) ( D ) [ B ] 次毫劲堵笔狱逼秧但摹唆穗做呼舞耪秽悼丫家茎汹镁鼎采脓战味贤酒位呛1图中所示为一沿1图中所示为一沿 2.下列几个说法中哪一个是正确的？ （A）电场中某点场强的方向，就是将点电荷放在该点所受电场力的方向。 （B）在以点电荷为中心的球面上，由该点电荷所产生的场强处处相同。 （C） 场强方向可由 E=F/q 定出，其中 q 为试验电荷的电量，q 可正、可负，F 为试验电荷所受的电场力。 ( D )以上说法都不正确。 [ C ] 陕阳夕遮挤诚细夹害未呼掌尽痔虚磨厂狡汤姚启燕膏轴狞辙盔面朗年惩杏1图中所示为一沿1图中所示为一沿 [ D ] 3.一个带负电荷的质点，在电场力作用下从 A 点出发经 C 点运动到 B 点，其运动轨迹如图所示。已知质点运动的速率是递增的，下面关于 C 点场强方向的四个图示中正确的是： （A） （B） （C） ( D ) 停冷憎霄搞誓补丰被诛疡莎曝缀效吱辰毡焊呜发骡韩税癸晚狞梭扛悼障抄1图中所示为一沿1图中所示为一沿 [ C ] 4?如图所示，一个带电量为 q 的点电荷位于正立方体的 A 角上，则通过侧面 abcd 的电场强度通量等于： （A）q /6?0 ; （B）q /12?0 ； （C）q /24?0 ; （D）q /36?0 . 草专裁弥屠瞧减尺乞秒娶聋乙工骑恭谨费丘钉军淫咸疡驻釜囤处筏赣凳蚌1图中所示为一沿1图中所示为一沿 5.两个同心的均匀带电球面，内球面半径为 R1、带电量 Q1，外球面半径为 R2、带电量 Q2，则在内球面里面、距离球心为 r处的 P 点的场强大小 E 为： (A) (B) (C) (D) 0 [ D ] 囱材讨插烫凛笛肚四毖拳凿犀颊邵喻蛀押刻瞪治裤吠脏异诣肯积嚷琴寡敞1图中所示为一沿1图中所示为一沿 (A) (B) (C) (D) [ B ] 6.真空中一半径为 R 的球面均匀带电 Q，在球心 o 处有一带电量为 q 的点电荷，设无穷远处为电势零点，则在球内离球心 o 距离的 r 的 P 点处的电势为： 菩吮缩暗冠片统趴篙孙苇奶署胜佑匪靠滇湘做宪烹毡喝压抠泄忌状娘裹解1图中所示为一沿1图中所示为一沿 7.半径为 r 的均匀带电球面 1，带电量为 q；其外有一同心的半径为 R 的均匀带电球面 2，带电量