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半导体通讯协议 篇一：半导体加工协议 加工协议书 甲方：***公司 地址：******************************* 电话： 传真： 乙方：***公司 地址：***************************** 电话： 1. 加工内容： 1-1） 甲方提供未划片的MOSFET芯片，乙方负责从划片、封片、打线、封装、 电镀、测试、打印、成品包装（中性包装-按乙方标准）加工。 1-2） 若乙方在生产过程中发现甲方提供的管芯数量与标称数量不符时，秉承双 方诚信的原则，数量误差在1%以内按乙方生产实收完成数量计算，数量 误差超过1%，则乙方应将加工后的蓝膜保留并提供给甲方进行确认。 1-3） 若乙方实际生产加工出来的数量与甲方提供的芯片标称数量不符时，秉承 双方诚信的原则，数量误差在1%以内按乙方生产实际完成数量计算，若 乙方生产完成数量与甲方提供的芯片标称数量总数负差超过1%，则乙方 应该承担甲方芯片差额芯片数的损失（以季度投入和产出总数计算平均上 芯率）。 1-4） 乙方按照现有封装生产的生产、工艺及质量控制流程进行加工，按甲方提 供的测试标准进行测试，产品打印图样由甲方提供（打印图样不得与乙方 现行生产或加工的所有产品的打印图样相同）。 1-5） 交货期：按乙方计划排产，产品开始投产后两周内开始交货或由甲方另行 通知发货时间。 1-6） 当甲方无需乙方对加工产品进行打印（即乙方提供光面产品）而由甲方对 该产品自行打印时，甲方必须保证产品的打印图样与乙方现行生产或加工 的所有产品的打印图样不同。若有违反之处，乙方将追究甲方的责任，并 要求甲方对此作出相应的损害赔偿，由此而造成的一切后果由甲方负责。传真： 甲方委托乙方进行TO-251/252产品后道封装及测试。具体内容如下： 2. 加工质量要求 2-1）划片分离后的管芯外观： a. 管芯外观方正，无双管芯，无崩损。 b. 管芯图形完整，划痕和裂纹不进入有源区。 c. 管芯表面清洁。 2-2）装芯片到框架后的要求： a. 管芯粘结方向和位置正确，复合图纸要求，粘片位置靠近G、S管脚而不超出 框架D极范围。 b. 无掉硅。 c. 管芯装平不倾斜，金层（或焊料层）不氧化、不上管芯表面。 d. 管芯图形完整，基本无崩损、划花和裂纹。 e. 框架片不变形，无严重氧化发黑。 2-3）打线要求（金线/铝线） a. 压焊方向正确，压焊点位置准确。 b. 压焊点完整牢固，不虚焊。 c. 铝丝弧度适中，无踏丝、堕丝。 d. 无漏压和断丝。 e. 管芯图形完整，无崩损、划花和裂纹。 f. 框架片不变形，无氧化发黑。 2-4）塑封，打印，电镀外观错位现象。 a. 管体无裂纹、无重错位现象。 b. 印章无漏打或打至背面。 c. 印章字迹完整、无重印、无打偏。 d. 管体无缺封、无崩损、沙眼、顶针孔、注塑口毛刺不应过大过长，无踩片, 框架无变形,管脚根部无毛刺、无带丝，无断脚。 e. 电镀层结晶细致均匀，无粗糙、结节、麻点、露铜、发黄等现象、 2-5）电参数测试要求： 各型号MOSFET电参数测试按甲方提供的相应型号电参数值测试标准。 2-6）加工产品包装要求： a. 内外包装外观完整，无损伤现象。 b. 套管、包装盒符合尺寸要求。 2-7）乙方所加工的甲方所有产品各物质含量（铅、汞、铬、PBBS、PBDES）均须 符合ROHS标准（除软焊料为铅锡焊料外）。 3. 芯片要求 3-1）芯片形状要求 a． 芯片必须是完整的5寸或6寸圆片，因运输或邮寄中而寄中而造成的破裂片 每批最多不能超过3片，破裂片的面积不得大于原完整片的1/2。 b． 圆片不得有裂纹、翘曲等现象。 c． 圆片四周厚薄均匀一致（以芯片能粘牢在框架片上为准）。 3-2）芯片表面状态要求 a. 圆片表面无水迹，无发雾等现象。 b. 圆片中的铝条应无大于1/3条宽的缺陷（包括砖蚀、发大、变大）。 c. 圆片表面颜色一致，铝层无划伤、发黄、发灰，芯片梳条无断条，各电极间 的铝条不能划伤等现象。 d. 芯片打色点位置正确，色点鲜明清楚，不能有严重偏移和模糊不清的现象。 划片过程中色点不能脱落。 3-3）芯片背面状态要求 a. 圆片背面的金属化层应完整，无异物污染，无划伤、无氧化等现象。 b. 圆片划片后，背面金属化层不应有脱落的现象。 c. 芯片背面金属化层应能适用于点焊料粘片工艺要求。 3-4）电参数要求 a. 芯片型号必须符合订货合同的要求。 b. 芯片电参数必须符合该型号所规定的技术参数指标要求或甲方所提出的相应型号技术参数指标要求。 3-5）其他要求 a.芯