废水系统规划及基本设计作业指果引.docVIP

Waste Water Treatment System Plan and Basic Design Guide 废水处理系统规划及基本设计指引技术手册 目 录 1.0 系统简介3 2.0 设计准则18 3.0 设计应注意事项29 4.0 应研读之法规-标准、书籍或数据42 5.0ABC科技股份有限公司范例59 1.0 系统简介 1.1 名词释义 混凝Coagulation 由于微粒表面电荷中和后，利用粒子与粒子间彼此微弱的vander walls吸引力所造成的凝集作用。此种力量非常薄弱，容易受到机械力的破坏，因此混凝作用时，常加入助凝剂 如polymer利用胶羽使粒子与粒子结合成较大的凝集体。常用之混凝剂有硫酸铝明矾，多元氯化铝PAC，硫酸亚铁 绿矾。 胶凝Flocculation 在两个或多个微粒间，利用高分子聚和物 polymer来做架桥作用，使微粒聚集成较大凝集体而增加沉降速度。 沉淀Sedimentation 水质经凝结及凝聚作用后形成较大的凝集体，在沉淀池内使有足够的沉降时间与沉降速度使凝集体沉积池底。 污泥脱水Sludge Dewatering污泥脱水之目的在于减少污泥体积，使污泥易于搬运及废弃。一般污泥脱水可分为自然脱水与机械脱水。自然脱水乃利用干燥砂床将污泥披撒其上，藉重力把水份过滤掉在经由蒸气干燥达到脱水目的。 PH值 代表水值酸碱程度的一指标，pH7为中性；Ph7为酸性；Ph7为碱性。 BOD 5 Biochemical Oxygen Demand五日生化需氧量 用以表示废水及表面水有机污染物的重要参数。主要是测量水中被微生物用来分解有机物所耗的溶解氧量。 CODChemical Oxygen Demand化学需氧量 COD试验是用测量废水及天然水中有机物能被氧化之氧当量。一般来说，废水之COD较BOD高，因为能被化学氧化的化合物较被生物氧化的化合物为多，又COD与BOD间存有某种关系且COD约3小时即可测出，因此，通常用COD值来当做处理废水之依据。 S.S. Suspended Solid悬浮固定体 指悬浮于水中之物质，其范围有自细小的胶状粒子至粗大的固定物，为污水水质之重要指标。 F Fluoride氟离子 高浓度的氟化物对河川中生物具有毒性，因此对放流水质之氟离子含量有其规定限值。 1.2 废水来源及水质水量之分析 以电子厂废水来源及特性来看，大致可分为： 一般酸碱废水 包括Wet Bench排水含HCL、HNO3、H2SO4、H3PO4、CH3COOH、NH4OH、H2O2……etc。 特性为pH变动大，水中缓冲buffer少，此类废水量一般为最大宗。 有机废水 此类废水通常在TFT-LCD或PDP制程产生，其COD浓度平均1800 mg/L，变化范围一般在1000~4500 mg/L。一般需生物处理法去除。 含氟废水 主要为晶圆厂蚀刻制程经清洗产生之废水，一般可分为低浓度F-：200 mg/L 高浓度5~7%。需特别注意浓度高于10% 之氢氟酸，应视为化学品废液纳入化学系统之废液收集系统。 CMP研磨废水 化学机械研磨CMP制程为12〞晶圆制造的必备制程，其废水含有大量奈米级 小于100mm的颗粒其成份可能含有Cu、W、Ti、Ce 等重金属及不可知的商业机密有机成份，一般研磨液可分为氧化膜及金属膜两大类。 重金属废水 一般晶圆厂及TFT-LCD厂较少有重金属废水产生，但对PDP制程，其它电子组件，如：MLCC、CHIP-R或电镀制程者，就必需处理金属废水，另外，如：砷化镓制程有含砷废水，而铜制程CMP废水则含Cu离子需去除。 BG晶背研磨废水 BG废水为晶圆制程过程晶背研磨之清洗废水，含有大量SiO2颗粒，其粒径 小于0.5μm。 其他废水 纯水再生废水：MMF、ACF 反洗水主要污染成份为SS，离子交换树脂再生废水主要污染特性为pH值，其他如RO、EDI、UF浓缩水一般均可回收利用。 废气洗涤塔排放水：主要含SS及依其废气性质而定之酸碱废水。 冷却水塔旁滤系统反洗水：主要含SS。 生活污水：一般为BOD230mg/L，COD460mg/L，SS230mg/L为设计基准。 1.3 各股废水之处理方法 一般酸碱废水处理 一般将全厂废水经前处理后或具酸碱废水性质者，均纳入此系统，集中后以酸碱药剂中和至符合放流水标准或园区/工业区纳管标准后排放。一般设计时，需考虑两段式中和处理，其原因为电子厂酸碱废水一般缓冲物质BUFFER少，故pH调整不易，在设计时甚至有人建议应采三段式中和设计。 如图一所示：为两段式中和处理系统 有机废水处理 电子厂有机废水其主要特点是BOD5/CODcr值，属生化性不好的废水。生化处理由于技术成熟、运行成本较低、操作管理简单，已成为目前有机废水