模擬电子技术综合复习题(有答案).docVIP

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 5、本征半导体温度升高以后， C 。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 6、空间电荷区是由 C 构成的。 A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 C 。 A. ISeU B. C. D. IS 9、稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 10、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 12、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 13、当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 A 。 A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量 D 。 A.IB B.IC C.UBE D.UCE 16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN硅管 B.PNP硅管 C.NPN锗管 D.PNP锗管 17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。 A.只能为正 B.只能为负 C.可正可负 D.可正可负，也可为零 18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。 A.可变电阻（欧姆）区 B.截止区 C.饱和区 D.击穿区 19、表征场效应管放大能力的重要参数是 B 。 A.夹断电压UGS(off) B.低频跨导gm C.饱和漏极电流IDSS D.开启电压UGS(th) 20、场效应管是 D 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 21、基本共射放大电路中，基极电阻Rb的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化 C.保护信号源 D.防止输出电压被短路 22、基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的作用是 B 。 A.限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源EC 23、基本共射放大电路中，如果使用直流电压表测出UCE≈0，可能是因为 A 。 A.Rb短路 B.Rb开路 C.Rc短路 D.β过小 24、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压uo和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位 A 。 A.相同 B.相反 C.相差90° D.相差270° 25、NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小Rb失真消除，这种失真一定是 B