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摸拟电子技术 练习题2答案 一、单选题(每题1分) 1.C 2.C 3.B 4.A 5.B 6.C 7.C 8.A 9.C 10.D 11.B 12.D 二、判断题(每题1分) 1.错误 2.正确 3.错误 4.正确 5.错误 6.错误 7.错误 8.错误 9.错误 10.错误 11.错误 12.正确 三、填空题(每题2分) 1. 92、0.989 2. 耗尽、增强 3. 大（或答：高）、强 4. 3、1、2、PNP 5. 电场 6. 静、动 7. 基、集电 8. 增大、增大、减小（或答：降低） 9. 图解、工程近似估算 10. 放大（或答：恒流）、饱和（或答：恒流或放大） 11. 直流、交流 12. 10、20、20 13. 栅源、漏极 14. NPN、PNP 15. B、A、C、PNP、50 16. 正向、反向 17. 放大 四、计算分析题(每题5分) 1. 先画出该电路的交流通路图如图所示 然后再画出小信号等效电路如图所示 由图可得 计算的最后结果数字： 2. 图（a）为P沟道耗尽型MOS管，其电路符号如下图（a）所示。UGS（off）=2V，IDSS=2mA。 图（b）为N沟道增强型NMOS管，其电路符号如下图（b）所示。UGS(th)=1V。 3. 图（a）为N沟道耗尽型MOS管，其电路符号如下图（a）所示。uGS（off）= -8V，IDSS=4mA。 图（b）为N沟道结型场效应管，其电路符号如下图（b）所示。uGS（off）= -5V，IDSS=5mA。 4. 解题过程及步骤： 因为三极管为硅管，故UBE=0.7V ， ， 因为 IBIBS ，故三极管工作在饱和状态 计算的最后结果数字：IB=0.1mA，IC≈2.5 mA， 5. （1）求静态工作点 （2）交流分析 微变等效电路  故 6. （a） （b） 计算的最后结果数字： IC ≈ 1.96mA，UCE ≈ 2.71 V， IC ≈ 1.66mA，UCE ≈ - 3.72V， 7. 解题过程及步骤： 因为三极管为硅管，故 UBE=0.7V 设三极管放大工作，则 ＞0.3V 可见三极管确实工作在放大区。 计算的最后结果数字：，， 8. 设三极管放大工作，则由图可得 ， 可见假设成立，上述计算结果有效。 计算的最后结果 数字：IC≈1.65 mA， 9. 解题过程及步骤： 显然发射结零偏，三极管工作在截止状态。 IB=0 IC=0 10. 图（a）为N沟道耗尽型MOS管，其电路符号如下图（a）所示。 UGS（off）= -1.5V，IDSS = 0.8mA。 图（b）为N沟道增强型NMOS管，其电路符号如下图（b）所示。UGS(th) = 2V。