Metal-GaN2.pptx

ECR等离子体产生原理 工作时少量初始电子在外加磁场中做拉莫尔（Lamor）回旋运动当电子回旋频率与微波电场频率相一致时，电子回旋运动与微波电场发生共振，产生共振吸收，变成高能电子；这些高能电子与工作气体分子发生非弹性碰撞，使之电离，产生等离子体。 金属晶体的晶体类型 面心立方Fcc：Rh，Ir，Ni，Pd，Pt，Cu，Ag，Au，Al，Tl，Pb 体心立方Bcc：K，Rb，Cs，Bc，V，Nb，Ta，Cr，Mo，W 密堆六方Hcp：Be，Mg，Y，Hf，Tc，Re，Ru，Os，Zn，Cd GaN的性质 带系：3.44eV(300K) 最大迁移率：电子1350cm2/Vs(300K)，空穴13cm2/Vs 可控掺杂：p-type：1016-4 ×1020 n-type：1016-6 × 1018 熔点：大于2573(6kba) 晶格常数：a=0.318843nm，c=0.518524nm 晶格常数变化率：? a/a0=0.5749 ?c/c0=0.5032 热导率：2.1W/cm K(300K) 热容：35.3J/mol K (300K) 弹性模量：210+—23GPa 硬度：15.5+—0.9GPa(300K) AlN的性质 宽带隙Eg = 612eV 六方晶体，晶格常数a=0.3114nm, c=0.14947 高击穿电场，高热导率，高电阻率，高化学和热稳定性。以及良好的光学及力学性能, 高质量的氮化铝薄膜还具有极高的超声传输速度、 较小的声波损耗、 相当大的压电耦合常数 , 与 Si、 GaAs 相近的热膨胀系数等特点 光学特性：基础吸收限200nm，与工艺无关，氮化铝薄膜在 200nm~ 2600nm具有高透过性。 硬度：晶体取向对氮化铝薄膜的硬度几乎没有影响。 热稳定性：有氮化铝膜的电阻器电阻相对变化率为 013 左右, 而没有氮化铝膜的电阻器为 017 左右, 氮化铝膜的存在大大提高了电子元件的热稳定性。 改进氮化铝薄膜的制备方法, 在较低的温度、 较简单的工艺条件下，得到更致密、 更均匀、 更高纯度、 更低成本的氮化铝薄膜, 还有大量的工作需要去做。 CVD法制备的薄膜具有以下特点: 所得的薄膜一般纯度很高、 很致密, 而且很容易形成结晶定向好的材料。 能在较低的温度下制备难熔物质。 便于制备各种单质或化合物材料以及各种复合材料。 PACVD 采用等离子体辅助可以在较低的温度沉积, 具有沉积速率快、 针孔少 的特点, 避免了薄膜与衬底材料间发生不必要的扩散与化反应, 避免薄膜或衬底材料的结构变化和性能恶化,并避免薄膜与衬底中出现较大的热应力 MOCVD 利用有机金属热分解进行气相外延生长的先进技术属而使衬底达到一定的温度, 促进其表面的化学反应的进行以及提供表面粒子迁移所需要的能量,达到化学气相沉积的目的 高能量的光子可以直接促进 AlCl 3 或 AlBr 3 , NH 3 等气体分子分解为活性化学基团，因此, 有效地降低了普通CVD过程中的衬底温度。 AlN缓冲层的作用（MOVPE） AlN的厚度(1min)，沉积温度，GaN的生长温度影响GaN的晶体质量和表面形貌 XRC显示FWHM为0.27arc。 GaN 的PL谱蓝移，微弱黄光发射和紫外发射。