DS18B20传感器调查.doc

温度传感器DS18B20 学院：信息工程学院 班级：13普本测控 学号： 姓名： 目录 摘要 1 1 绪论 2 1.1 课题描述 2 1.2 DS18B20的特性 2 1.3 DS18B20的优点 2 2 不同封装的引脚分布 2 2.1 TO-92封装 2 2.2 SOIC封装 3 3 DS18B20内部结构图 3 4 DS18B20工作方式 4 4.1 DS18B20的初始化 4 4.2主机向DS18B20写数据 5 4.3 DS18B20指令代码 6 4.4 DS18B20简单的读取温度值步骤 6 5 DS18B20内部寄存器 7 5.1 DS18B20内部光刻ROM 7 5.2 DS18B20存储器 7 5.3 DS18B20内部寄存器 7 6 DS18B20常用程序代码段 8 6.1 DS18B20初始化 8 6.2 DS18B20写字节程序 9 6.3 DS18B20读字节程序 9 6.4 DS18B20温度转换命令程序 10 6.5 DS18B20发送测温命令程序 10 6.6 DS18B20读取温度程序 10 3总结 11 4 参考文献 11 温度传感器DS18B20 摘要关键： SOIC封装 SOIC封装引脚说明：1、2引脚无连接，3引脚为VDD引脚，4引脚为总线引脚，5引脚为GND引脚，6、7、8引脚无连接。 3 DS18B20内部结构图 DS18B20 内部结构主要由四部分组成： 64 位光刻 ROM 、温度传感器、非挥发的温度报警触发器 TH 和 TL 、配置寄存器。 4 DS18B20工作方式 4.1 DS18B20的初始化 [2]主机首先发出一个480-960微秒的低电平脉冲，然后释放总线变为高电平，并在随后的480微秒时间内对总线进行检测，如果有低电平出现说明总线上有器件已做出应答。若无低电平出现一只都是高电平说明总线上无器件应答。 作为从器件的DS18B20在一上电后就一直在检测总线上是否有480-960微秒的低电平出现，如果有，在总线转为高电平后等待15-60微秒后将总线电平拉低60-240微秒做出响应存在脉冲，告诉主机本器件已经做好准备。若没有检测到就一直在等待检测。 DS18B20初始化时序图 4.2主机向DS18B20写数据 写周期最少为写周期最少为60微秒，最长不超过120微秒。 写周期一开始做为主机先把总线拉低1微秒表示写周期开始。随后若主机想写0，则将总线置为低电平，若主机想写1，则将总线置为高电平，持续时间最少60微秒直至写周期结束，然后释放总线为高电平至少1微秒给总线恢复 。 而DS18B20则在检测到总线被拉底后等待15微秒然后从15us到45us开始对总线采样，在采样期内总线为高电平则为1，若采样期内总线为低电平则为0。 向DS18B20写数据时序 4.3主机从DS18B20读数据 读周期是从主机把单总线拉低1微秒之后就得释放单总线为高电平，以让DS18B20把数据传输到单总线上。 作为从机DS18B20在检测到总线被拉低1微秒后，便开始送出数据，若是要送出0就把总线拉为低电平直到读周期结束。若要送出1则释放总线为高电平。主机在一开始拉低总线1微秒后释放总线，然后在包括前面的拉低总线电平1微秒在内的15微秒时间内完成对总线进行采样检测，采样期内总线为低电平则确认为0。采样期内总线为高电平则确认为1。完成一个读时序过程，至少需要60微秒才能完成。 主机从DS18B20读数据时序 4.3 DS18B20指令代码 4.4 DS18B20简单的读取温度值步骤 （1）跳过ROM操作； （2）发送温度转换命令； （3）跳过ROM操作； （4）发送读取温度命令； （5）读取温度值。 5 DS18B20内部寄存器 5.1 DS18B20内部光刻ROM 光刻 ROM 中的 64 位序列号是出厂前被光刻好的，它可以看作是该 DS18B20 的地址序列码。 64 位光刻 ROM 的排列是：开始 8 位（地址： 28H ）是产品类型标号，接着的 48 位是该 DS18B20 自身的序列号，并且每个 DS18B20 的序列号都不相同，因此它可以看作是该 DS18B20 的地址序列码；最后 8 位则是前面 56 位的循环冗余校验码（ CRC=X8+X5+X4+1 ）。 由于每一个 DS18B20 的 ROM 数据都各不相同，因此微控制器就可以通过单总线对多个 DS18B20 进行寻址，从而实现一根总线上挂接多个 DS18B20 的目的。 DS18B20ROM 5.2 DS18B20存储器 DS18B20的存储器由一个高速暂存RAM和一个非易失性、电可擦除（E2）RAM组成。 DS18B20内部存储器 内部存