电机二乙电子学_场效电晶体小信号分析(98-3-15)解答.docVIP

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2016-07-20 发布于河南
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电机二乙电子学_场效电晶体小信号分析(98-3-15)解答.doc

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电机二乙电子学_场效电晶体小信号分析(98-3-15)解答

1.繪出P型增強型MOSFET電晶體之符號與小信號模型等效電路？(20分) p-type MOSFET之符號 p-type MOSFET之等效電路 Consider the JFET transistor with parameters IDSS = 12 mA, VP = ?4V, and λ = 0.008V?1. Let ID ＝3. Determine gm and rO at the Q-point. 2. 某一個JFET之規格為IDSS ＝12 ,VP＝－4V , λ＝0.008V-1, ID ＝3，求小訊號模型參數gm、rO之值？ Sol: ( or ) Consider the source-follower circuit in Figure P4.34 with transistor parameters VT N = 1.2 V, Kn = 1 mA/V2, and λ = 0.01V?1. If IQ = 1 mA, determine the small-signal voltage gain Av = vo/vi and the output resistance Ro. For the circuit shown in Figure P4.27, the transistor parameters are : . (a) Plot the small-signal equivalent circuit. (b) Determine gm and rO at the Q-point. (c) Determine the small-signal voltage gain Av = vo/vi . (d) Determine the output resistance Ro. 求 (1) 繪出小信號分析等效電路。 (2) 小訊號模型參數gm、rO之值？ (3) 小訊號電壓增益AV= (4) 輸出阻抗 (40分) 3. 如???，已知MOSFET之規格為，求 (1)小訊號電壓增益AV= (2) 輸入阻抗 (3) 輸出阻抗解：(1)直流分析： VGS＝ = ×10 ＝ 2.91 (V) ∵ VGS＞Vth，假設MOSFET工作於飽和區 ID = k (VGS－Vth)2 = 0.5m(2.91－1.5)2 ＝ 1 () 【驗證】VDS＝VDD－ID×RD=5V ， VDS(sat) =(VGS－Vth )= 1.41 (V) VDS＞VDS(sat) 工作於飽和區，假設正確。小訊號模型參數小訊號等效電路 (2) 輸入阻抗 (3) ∵ 獨立電源 ∴gmVGS = 0 ＝＞輸出阻抗。 4.43For the common-gate circuit in Figure P4.43, the NMOS transistor parameters are: VT N = 1 V, Kn = 3 mA/V2, and λ = 0. (a) Determine IDQ and VDSQ. (b) Calculate gm and ro. (c) Find the small-signal voltage gain Av = vo/vi . For the circuit in Figure 5, the transistor parameters are: VT N = 1 V, Kn = 3 mA/V2, and λ = 0. (a) Determine IDQ and VDSQ. (b) Calculate gm and ro. (c) Find the small-signal voltage gain Av = vo/vi . Consider the circuit in Figure 4 with transistor parameters Q1: and Q2 : . (a) Plot the small-signal equivalent circuit. (b) Determine the small-signal voltage gain Av = vo/vi . 4. 如圖，已知電晶體Q1之規格為，電晶體Q2之規格為，求小訊號電壓增益AV= Sol: 小訊號模型參數小訊號等效電路