辅助绕组绕法与FB反馈电阻概述.docx

 PAGE \* MERGEFORMAT 10 辅助绕组VCC总结 一、辅助绕组的绕法对供电的影响 1.摘自电源网站的基本总结 图一 图二 变压器按：1/2初级-次级-1/2初级-辅助绕组与1/2初级-次级-辅助绕组-1/2初级，是距离决定还是每圈的围敝面积决定辅助电源稳定一点？ 两个都决定。距离近了；耦合的好。耦合截面积大了；也会耦合的好类似用大截面积磁芯做变压器一样）。 第一个图：aux winding和primary winding耦合好，和secondary winding耦合差，轻载与重载时，Vcc电压差异会很大。重载时，Vcc会很高，漏感造成的。但aux winding有充当初级绕组和铁芯之间的磁屏蔽。所以EMI部分会好一些。 第二个图：aux winding和primary winding耦合差，和secondary winding耦合好，轻载与重载时，Vcc电压差异比较小。此时，若EMI比较差，建议在初次级之间增加屏蔽。 2.实测总结和分析理解 按照变压器顺绕的原则，辅助绕组由三种绕法，所产生的影响和不同实测如下： 绕制顺序从里到外为Np-Ns-NA A: all,VNp,VBJTce,VNs,VNA 在输入电压为200Vac的情况下从上到下一次为VNp（初级绕组两端电压）,VBJTce（内置三极管集电极和发射极）,VNs（次级绕组两端电压）,VNA （辅助绕组两端电压）。 B: VNp 在MOS管导通时，VNp就等于Vin*√2,恰好与VBJTce电压的波形相反，但是大小不同。 C: VBJTce VBJTce=VNp+Vr+Vk（漏感），尖峰振荡是漏感和开关管结电容产生的振荡，“死区”里的振荡是初级电感（励磁电感）和开关管结电容产生的振荡. D: VNs 变压器次级两端的电压波形，漏感引起的振荡会传递到次级 E: VNA 辅助端电压波形完全和次级端波形是一样的。所以辅助绕组的电压需要参考次级端即可。 F:VCC大小 该种绕线方式的VCC大小为13.439Vrms. 绕制顺序从里到外为Np-NA-Ns A: all,VNp,VBJTce,VNs,VNA 在输入电压为200Vac的情况下从上到下一次为VNp（初级绕组两端电压）,VBJTce（内置三极管集电极和发射极）,VNs（次级绕组两端电压）,VNA （辅助绕组两端电压）。 B: VNp 在MOS管导通时，VNp就等于Vin*√2,恰好与VBJTce电压的波形相反，但是大小不同。 C: VBJTce VBJTce=VNp+Vr+Vk（漏感），尖峰振荡是漏感和开关管结电容产生的振荡，“死区”里的振荡是初级电感（励磁电感）和开关管结电容产生的振荡. D: VNs 变压器次级两端的电压波形，漏感引起的振荡会传递到次级 E: VNA 辅助端电压波形完全和次级端波形是一样的。所以辅助绕组的电压需要参考次级端即可。 F:VCC大小 该种绕线方式的VCC大小为20.060Vrms. 绕制顺序从里到外为NA-Np-Ns A: all,VNp,VBJTce,VNs,VNA 在输入电压为200Vac的情况下从上到下一次为VNp（初级绕组两端电压）,VBJTce（内置三极管集电极和发射极）,VNs（次级绕组两端电压）,VNA （辅助绕组两端电压）。 B: VNp 在MOS管导通时，VNp就等于Vin*√2,恰好与VBJTce电压的波形相反，但是大小不同。 C: VBJTce VBJTce=VNp+Vr+Vk（漏感），尖峰振荡是漏感和开关管结电容产生的振荡，“死区”里的振荡是初级电感（励磁电感）和开关管结电容产生的振荡. D: VNs 变压器次级两端的电压波形，漏感引起的振荡会传递到次级 E: VNA 辅助端电压波形完全和次级端波形是一样的。所以辅助绕组的电压需要参考次级端即可。 F:VCC大小 该种绕线方式的VCC大小为20.0100Vrms. 总结： 这三种方式耦合的情况是一样的，但是相邻的绕组不相同时，耦合的效果也是不一样的，当辅助绕组靠近初级绕组的时候，辅助绕组的电压普遍要偏高，为了让辅助绕组更好地按照次级来耦合应该按照第一种Np-Ns-NA的方法绕制才能确保VCC电压的可靠性，但是必要时也可以改变绕组顺序。 3、初级耦合到辅助的电压和副边反馈到辅助的电压相等 根据公式VNp/VNA=Np/NA和公式VNp/VNs=Np/Ns,VNs/VNA=Ns/NA无论次级耦合到辅助还是初级耦合到辅助，其电压大小都是一样的，但是两个电压是不能叠加的，因为作用是同时的，可以理解为