辅助绕组绕法与FB反馈电阻概述.docx

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 PAGE \* MERGEFORMAT 10 辅助绕组VCC总结 一、辅助绕组的绕法对供电的影响 1.摘自电源网站的基本总结 图一 图二 变压器按:1/2初级-次级-1/2初级-辅助绕组与1/2初级-次级-辅助绕组-1/2初级,是距离决定还是每圈的围敝面积决定辅助电源稳定一点? 两个都决定。距离近了;耦合的好。耦合截面积大了;也会耦合的好类似用大截面积磁芯做变压器一样)。 第一个图:aux winding和primary winding耦合好,和secondary winding耦合差,轻载与重载时,Vcc电压差异会很大。重载时,Vcc会很高,漏感造成的。但aux winding有充当初级绕组和铁芯之间的磁屏蔽。所以EMI部分会好一些。 第二个图:aux winding和primary winding耦合差,和secondary winding耦合好,轻载与重载时,Vcc电压差异比较小。此时,若EMI比较差,建议在初次级之间增加屏蔽。 2.实测总结和分析理解 按照变压器顺绕的原则,辅助绕组由三种绕法,所产生的影响和不同实测如下: 绕制顺序从里到外为Np-Ns-NA A: all,VNp,VBJTce,VNs,VNA 在输入电压为200Vac的情况下从上到下一次为VNp(初级绕组两端电压),VBJTce(内置三极管集电极和发射极),VNs(次级绕组两端电压),VNA (辅助绕组两端电压)。 B: VNp 在MOS管导通时,VNp就等于Vin*√2,恰好与VBJTce电压的波形相反,但是大小不同。 C: VBJTce VBJTce=VNp+Vr+Vk(漏感),尖峰振荡是漏感和开关管结电容产生的振荡,“死区”里的振荡是初级电感(励磁电感)和开关管结电容产生的振荡. D: VNs 变压器次级两端的电压波形,漏感引起的振荡会传递到次级 E: VNA 辅助端电压波形完全和次级端波形是一样的。所以辅助绕组的电压需要参考次级端即可。 F:VCC大小 该种绕线方式的VCC大小为13.439Vrms. 绕制顺序从里到外为Np-NA-Ns A: all,VNp,VBJTce,VNs,VNA 在输入电压为200Vac的情况下从上到下一次为VNp(初级绕组两端电压),VBJTce(内置三极管集电极和发射极),VNs(次级绕组两端电压),VNA (辅助绕组两端电压)。 B: VNp 在MOS管导通时,VNp就等于Vin*√2,恰好与VBJTce电压的波形相反,但是大小不同。 C: VBJTce VBJTce=VNp+Vr+Vk(漏感),尖峰振荡是漏感和开关管结电容产生的振荡,“死区”里的振荡是初级电感(励磁电感)和开关管结电容产生的振荡. D: VNs 变压器次级两端的电压波形,漏感引起的振荡会传递到次级 E: VNA 辅助端电压波形完全和次级端波形是一样的。所以辅助绕组的电压需要参考次级端即可。 F:VCC大小 该种绕线方式的VCC大小为20.060Vrms. 绕制顺序从里到外为NA-Np-Ns A: all,VNp,VBJTce,VNs,VNA 在输入电压为200Vac的情况下从上到下一次为VNp(初级绕组两端电压),VBJTce(内置三极管集电极和发射极),VNs(次级绕组两端电压),VNA (辅助绕组两端电压)。 B: VNp 在MOS管导通时,VNp就等于Vin*√2,恰好与VBJTce电压的波形相反,但是大小不同。 C: VBJTce VBJTce=VNp+Vr+Vk(漏感),尖峰振荡是漏感和开关管结电容产生的振荡,“死区”里的振荡是初级电感(励磁电感)和开关管结电容产生的振荡. D: VNs 变压器次级两端的电压波形,漏感引起的振荡会传递到次级 E: VNA 辅助端电压波形完全和次级端波形是一样的。所以辅助绕组的电压需要参考次级端即可。 F:VCC大小 该种绕线方式的VCC大小为20.0100Vrms. 总结: 这三种方式耦合的情况是一样的,但是相邻的绕组不相同时,耦合的效果也是不一样的,当辅助绕组靠近初级绕组的时候,辅助绕组的电压普遍要偏高,为了让辅助绕组更好地按照次级来耦合应该按照第一种Np-Ns-NA的方法绕制才能确保VCC电压的可靠性,但是必要时也可以改变绕组顺序。 3、初级耦合到辅助的电压和副边反馈到辅助的电压相等 根据公式VNp/VNA=Np/NA和公式VNp/VNs=Np/Ns,VNs/VNA=Ns/NA无论次级耦合到辅助还是初级耦合到辅助,其电压大小都是一样的,但是两个电压是不能叠加的,因为作用是同时的,可以理解为

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