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2017-05-07 发布于河南
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MOCVD

有机金属化学气相沉积（MOCVD）;作为含有化合物半导体元素的原料化合物必须满足以下条件: ①在常温下较稳定且容易处理； ②反应的副产物不应妨碍晶体生长，不应污染生长层； ③为适应气相生长，在室温附近应具有适当的蒸气压(1Torr)。通常可选用金属的烷基或芳基衍生物、烃基衍生物、乙酞丙酮基化合物、羰基化合物等为源材料。 ;;MOCVD-特点;;缺点 ①虽然采用有机金属化合物取代普通CVD中常用的卤化物，排除了卤素的污染和腐蚀性带来的危害，但许多有机金属化合物蒸气有毒和易燃，给有机金属化合物的制备、贮存、运输和使用带来了困难，必须采取严格的防护措施。 ②由于反应温度低，有些金属有机化合物在气相中就发生反应，生成固态微粒再沉积到衬底表面，形成薄膜中的杂质颗粒，破坏了膜的完整性。