模电半导体器件基础剖析.pptVIP

VCC VBB Rb Rc 12V 6V 4KΩ 150KΩ + UBE — + UCE — IB IC +VCC +VBB Rb Rc (+12V) (+6V) 4KΩ 150KΩ + UBE — + UCE — IB IC 例：模型分析法（近似估算法） 共射电路如图，已知三极管为硅管，β=40，试求电路中的直流量IB、 IC 、UBE 、UCE。 +VCC +VBB Rb Rc (+12V) (+6V) 4KΩ 150KΩ + UBE — + UCE — IB IC 0.7V βIB e c b IC +VCC Rc (+12V) 4KΩ + UBE — IB +VBB Rb (+6V) 150KΩ + UCE — 解：设三极管工作在放大状态，用放大模型代替三极管。 UBE=0.7V 1-6: 试分析下列电路中的二极管是导通还是截止? 并求出A、B两端的电压UAB。 1-5:有两个稳压管，其稳压值UZ1＝6V，UZ2＝7.5V，正向导通压降UD＝0.7V。若两个稳压管串联时，可以得到哪几种稳压值? 若两个稳压管并联时，又可以得到哪几种稳压值? 1-9:有甲、乙两个BJT，从电路中可以测得它们各个管脚的对地电压为：甲管UX1＝12V，UX2＝6V，UX3＝6.7V；乙管UY1＝-15V，UY2＝-7.8V，UY3＝-7.5V。试判断它们是锗管还是硅管?是PNP型还是NPN型?哪个极是基极、发射极和集电极? 1-11：图中给出了八个BJT各个电极的电位，试判定这些BJT是否处于正常工作状态? 如果不正常，是短路还是烧断? 如果正常，是工作于放大状态，截止状态还是饱和状态? 1-12:一个BJT，其集电极最大电流ICM＝120mA，集电极最大功耗PCM＝200mW， 击穿电压V（BR）CEO=40V。如果它的工作电压UCE＝10V，那么它的工作电流IC不能超过多少? 如果BJT的工作电流为2 mA，则其工作电压的极限值是多少? 本章小结 1．半导体材料中有两种载流子：电子和空穴。电子带负电，空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同的杂质，可以得到N型半导体和P型半导体。 2．采用一定的工艺措施，使P型和N型半导体结合在一起，就形成了PN结。PN结的基本特点是单向导电性。 3．二极管是由一个PN结构成的。其特性可以用伏安特性和一系列参数来描述。在研究二极管电路时，可根据不同情况，使用不同的二极管模型。 4.稳压二极管工作于反向击穿状态. 5.双极型晶体管具有电流放大作用，基极电流的较小变化可以引起集电极电流的较大变化，β是反映晶体管作用强弱的重要参数。 6.晶体三极管工作于放大状态时，发射结应当正偏，集电结应当反偏。 * * * * * * * * 如下图所示，输入信号三角波信号ui幅值大于直流电源E1,E2的正弦波信号，二极管为理想器件，画出输出uo的电压波形。 0 -E2 ui t +E1 uo t + - - + E u 2 R i u O E 1 VD1 VD2 +E1 -E2 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数 稳定电压 1.2.4 稳压二极管 1. 稳压管的伏安特性 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管 正向同二极管 反偏电压≥UZ 反向击穿 ＋ UZ － 限流电阻 2. 稳压管的主要参数 (1) 稳定电压UZ (3) 动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?UZ /?I Z rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡,稳压性能越好。 (2) 稳定 电流IZ 保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。 (4) 最大工作电流 IZM，最大耗散功率PZM IZM 管子允许流过最大电流; PZM 管子允许耗散的最大功率; PZM=UZ IZM 例 发光二极管是一种能将电能转换为光能的电子器件，简称 LED (Light Emitting Diode).采用砷化镓、磷化镓、氮化镓 等化合物半导体材料制造耐用。伏安特性与普通二极管类 似，其正向导通压降较大，为1~4V左右，工作电流较为6~30mA, 体积小，具有发光均匀稳定，寿命长等特点， 现已应用于数码显示、大屏幕显示、交通信号灯、汽车尾灯、照明等方面。 发光二极管 LED灯 光效高、耗电少,寿命长、易控制、免维护、安全环保;是新一代固体冷光源,光色柔和、艳丽、丰富多彩、低损耗、低能耗, 耐震，可频繁开关而不影响其寿命，绿色环保不含汞。 将LE