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第9章 功率放大电路 共射放大电路不合适 功率放大电路：变压器耦合，OTL（无输出变压器），OCL（无输出电容，第3章互补输出级） 甲类，乙类，甲乙类放大电路晶体管的导通角 重点：OCL电路的分析和计算 参数：1.最大输出电压，最大输出功率，效率 2.晶体管的集电极最大功耗 注意计算的最大输出电压通常是有效 值，除非特别强调峰值。 第10章 直流电源 直流稳压电源的组成：变压器，整流电路，滤波电路，稳压电路（四部分分别由哪些元件构成） 整流电路：单个二极管（半波），单相桥式整流（全波） 参数：负载（输出）平均电压，平均电流，二极管所承受的最大反向电压（注意是峰值电压）；这里注意所给参数U2是有效值还是峰值，一般默认是有效值。 串联型稳压电路（可调电压）： 1. 四个组成部分的由哪些元件组成：调整管，基准电压电路，采样电路，比较放大电路 2. 输出电压范围的计算（最小值，最大值） 祝大家考试顺利，新年快乐! * 第1章 常用半导体器件 半导体基础、二极管 一. 半导体基本概念（填空、选择、判断） 四价（Si、Ge） 载流子 本征半导体 杂质半导体 PN结 PN结单向导电性 PN结伏安特性 二. 二极管 二极管器件特性基础——伏安特性 等效电路 微变等效电路（小信号） 稳压二极管 二极管工作三种状态 发光二极管 光电二极管 三极管（双极晶体管） 三极管，晶体管，双极型晶体管（BJT）——双极的含义是什么？ 二极管→PN结；三极管→两个PN结背靠背（NPN，PNP） 三极管作用→放大（典型：共射放大电路；也有共基，共集） 怎样放大？静态（无交流）工作点设置到放大状态→对交流小信号（输入信号）进行放大！ 放大的分析：载流子运动，实质就是建立在两个PN结基础上的两部分运动（漂移，扩散，多子，少子），注意少子在绝对数量上未必少【掺杂浓度不同】。 管子三极，三区电位的特点？（b，c，e） 三种工作状态：截止，放大，饱和；另外加损坏！ 基极，发射极，集电极电流关系公式，放大系数公式 输出特性曲线 电流控制型放大元件 附：温度和掺杂浓度对管子的影响（判断曲线左移或右移问题） 具体电路中三极管的应用：注意求解电流或电压问题，只有电阻才符合欧姆定律，三极管不能简单的用电压/电流=电阻！ 场效应管 场效应管 结型(JFET) 绝缘栅型(MOS) 增强型 耗尽型 N沟道（漏极电流：d→s） P沟道（漏极电流：s→d） 作用：放大；与晶体管对比：输入阻抗大，单极型 耗尽型 单极型：只有一种载流子导电 N沟道→电子 P沟道→空穴 N沟道：自由电子从s→d，所以电流d→s，d电位最高 注意未接入电路前，s和d的位置等价 栅极g 源极s 漏极d 结型（JFET），绝缘栅型（MOSFET） 结构、原理、导电过程分析 s，g，d电位 三个工作区及条件：夹断区，可变电阻区，恒流区 特别是要会判断恒流区条件 输出曲线和转移特性曲线 管子阻抗分析 Ugs(off)Ugs0 UgdUgs(off) UgsUgs(th) UgdUgs(th) N沟道结型 恒流条件 N沟道增强型MOS UgsUgs(off) UgdUgs(off) N沟道耗尽型MOS 以N沟道为例，P沟道的电压正负极情况与之相反 恒流条件简而言之→导电沟道一端夹断，一端开启 第2章 基本放大电路（计算题） 放大：对交流小信号的放大！交流小信号作为输入。 核心放大元件：晶体管，场效应管 放大的条件：工作在放大区（恒流区）——合适静态工作点 ※ 放大电路的分析： 1. 求解静态工作点Q：UBEQ,IBQ,ICQ,UCEQ (注意截止放大饱和) 2. 求解动态参数Au，Ri，Ro（交流等效电路一定要会画!） 先静态、后动态——只有静态工作点合适，动态分析才有意义 晶体管三种放大电路： 共射（放大），共集（输入输出），共基（高频） 场效应放大电路：共源，共漏 第3章 多级放大电路（计算题） 耦合方式：直接，阻容，变压器，光电。 多级放大电路的动态参数：Au，Ri，Ro 直接耦合多级放大电路——零点漂移（晶体管的温漂） 差分放大电路——利用参数对称性进行补偿来抑制温漂 差分放大电路的动态参数分析：差模放大倍数，共模抑制比 互补输出电路 总结：差分放大——输入级； 共射放大电路——中间级； 互补输出电路——输出 集成运放 第4章 集成运放电路 差分